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在電流流經MOSFET體二極管的應用中,例如,在同步整流器和續流應用中,反向恢復電荷Qrr會引起一些重大問題,設計工程師需要認真解決這些問題。那么,什么是Qrr呢?
Qrr是以nC為單位的存儲電荷,它是當二極管正向偏置時,電荷載流子在體二極管的PN結中累積而引起。
由于大多數應用所需的死區時間,電流在每個開關周期內都會兩次流過體二極管。
首先,我們可以考慮同步FET導通之前發生的事情。由于在死區時間內電流將流經體二極管,因此一些負載電流會形成存儲電荷Qrr。
隨著同步FET導通,存儲電荷在MOSFET內部耗散。因此,一部分負載電流由于Qrr效應而丟失,并成為同步FET內的I2R損耗。
在第二種情況下,當高邊MOSFET導通時,MOSFET的體二極管再次反向偏置。額外的電流Irr+負載電流短暫地流過高邊MOSFET,直到存儲電荷Qrr完全耗盡。
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