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| | | · 輸出特性曲線 · 轉(zhuǎn)移特性曲線 · 跨導(dǎo)gm | | | MOS 電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測試實驗 | | | · 霍爾電壓VH · 霍爾電阻率ρ · 霍爾系數(shù)RH · 載流子濃度n · 霍爾遷移率u | | · LIV特性曲線 · 閾值電流對應(yīng)電壓值Vth · 拐點Kink · 線性電阻Rs | | · 開路電壓Voc · 短路電流Isc · 功率最大值Pmax · 填充因子FF · 轉(zhuǎn)換效率η · 串聯(lián)電阻Rs · 旁路電阻Rsh |
★本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
§ 測試平臺的核心 – 源測量單元 （源表， SMU） 四 表 合 一 多通道配置四象限模式 四線/開爾文測試功能 小信號測試 file:///C:/Users/liuyang/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps8513.tmp.png滿足先進器件和材料測試需求 標(biāo)準(zhǔn)器件測試庫
★本科生微電子器件及材料實驗測試基礎(chǔ)平臺和升級選件
★本科生微電子器件及材料實驗測試選型指南 | 2600雙通道源表 專業(yè)測試軟件 專業(yè)測試導(dǎo)線 夾具盒 | | | | | | | | | | | | | 實驗二：四探針發(fā)測量半導(dǎo)體電阻率測試 | | | 實驗三：MOS電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測試 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
基礎(chǔ)平臺： 2600雙通道源表 + 專業(yè)測試軟件+ 專業(yè)測試導(dǎo)線+ 夾具盒 +手動探針臺 升級選件： 積分球，暗電流測試表，開關(guān)，磁場
★本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實驗中微電子器件和材料測試需求 測試設(shè)備和軟件簡單易用，專業(yè)權(quán)威，方便學(xué)生動手操作 核心設(shè)備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求 以基礎(chǔ)平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求
附錄一：金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
q §實驗?zāi)康?/div> §掌握MOSFET的輸出特性測試及分析方法 §學(xué)習(xí)利用MOSFET的電學(xué)特性曲線求解各種參數(shù) q q實驗原理 §金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是 集成電路中特別重要的元器件。通過對MOSFET的直流輸入特性、輸出特性等電學(xué)特性測試，可以推算出器件的閾值電壓、導(dǎo)通電阻、擊穿電壓、跨導(dǎo)等重要參數(shù)。 q q 實驗設(shè)備和測試結(jié)果
附錄二：MSO電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測試實驗 q 實驗?zāi)康?/font> § 掌握準(zhǔn)靜態(tài)法測量界面態(tài)密度分布的原理 § 熟練掌握準(zhǔn)靜態(tài)C-V測量系統(tǒng)的使用方法 q 實驗原理 § 通過測試MOS電容的高頻和低頻C-V特性曲線可以得到柵氧化層厚度、界面 態(tài)密度、平帶電容、平帶電壓等參數(shù)。 q 實驗設(shè)備和測試結(jié)果
附錄三：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗
q 實驗?zāi)康?/font> § 理解和掌握霍爾效應(yīng)的原理 § 掌握霍爾效應(yīng)的測量方法 § 掌握霍爾效應(yīng)的分析方法 q 實驗原理 § 霍爾系數(shù)的符號來判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，是N型還是P型；根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能；通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測縱向載流子濃度分布；測量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補償度。 q 實驗設(shè)備和測試結(jié)果
附錄四：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
q 實驗?zāi)康?/font> • 掌握激光二極管LD的基本原理 • 掌握激光二極管LD的測量方法 • 學(xué)習(xí)利用激光二極管LD的LIV特性曲線求解各種參數(shù) q 實驗原理 § 半導(dǎo)體激光二極管（LD）或簡稱半導(dǎo)體激光器，它通過受激輻射發(fā)光，是一種閾值器件，適合于作高速長距離光纖通信系統(tǒng)的光源。一般用注入電流值來標(biāo)定閾值條件，也即閾值電流 。LIV特性是選擇半導(dǎo)體激光器的重要依據(jù)。 q 實驗設(shè)備和測試結(jié)果
附錄五:太陽能電池的特性表征
q 實驗?zāi)康?/font> § 掌握太陽能電池的基本原理 § 掌握太陽能電池的特性測試及分析方法 § 學(xué)習(xí)利用太陽能電池的電學(xué)特性曲線求解各種參數(shù) q 實驗原理 § 光能就以產(chǎn)生電子-空穴對的形式轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋Ｈ绻雽?dǎo)體內(nèi)存在P-N結(jié)，則 在P型和N型交界面兩邊形成勢壘電場，能將電子驅(qū)向N區(qū)，空穴驅(qū)向P區(qū)， 在P-N結(jié)附近形成與勢壘電場相反的光生電場。若分別在P型層和N型層焊上 金屬引線，接通負(fù)載，則外電路便有電流通過。如此形成的一個個電池原件， 把它們串聯(lián)、并聯(lián)起來，就能產(chǎn)生一定的電壓和電流，輸出功率。 q 實驗設(shè)備和測試結(jié)果
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發(fā)表于 2019-6-20 17:12:24
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