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| | 金屬-氧化物- 半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗 | | | | | | | · 霍爾電壓VH · 霍爾電阻率ρ · 霍爾系數RH · 載流子濃度n · 霍爾遷移率u | | · LIV特性曲線 · 閾值電流對應電壓值Vth · 拐點Kink · 線性電阻Rs | | · 開路電壓Voc · 短路電流Isc · 功率最大值Pmax · 填充因子FF · 轉換效率η · 串聯電阻Rs · 旁路電阻Rsh |
★本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
§ 測試平臺的核心 – 源測量單元 （源表， SMU） 四 表 合 一 多通道配置四象限模式 四線/開爾文測試功能 小信號測試 file:///C:/Users/liuyang/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps8513.tmp.png滿足先進器件和材料測試需求 標準器件測試庫
★本科生微電子器件及材料實驗測試基礎平臺和升級選件
★本科生微電子器件及材料實驗測試選型指南 | 2600雙通道源表 專業測試軟件 專業測試導線 夾具盒 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
基礎平臺： 2600雙通道源表 + 專業測試軟件+ 專業測試導線+ 夾具盒 +手動探針臺 升級選件： 積分球，暗電流測試表，開關，磁場
★本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優勢
滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求 測試設備和軟件簡單易用，專業權威，方便學生動手操作 核心設備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標要求 以基礎平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求
附錄一：金屬—氧化物—半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗
q §實驗目的 §掌握MOSFET的輸出特性測試及分析方法 §學習利用MOSFET的電學特性曲線求解各種參數 q q實驗原理 §金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是 集成電路中特別重要的元器件。通過對MOSFET的直流輸入特性、輸出特性等電學特性測試，可以推算出器件的閾值電壓、導通電阻、擊穿電壓、跨導等重要參數。 q q 實驗設備和測試結果
附錄二：MSO電容的準靜態CV特性測試實驗 q 實驗目的 § 掌握準靜態法測量界面態密度分布的原理 § 熟練掌握準靜態C-V測量系統的使用方法 q 實驗原理 § 通過測試MOS電容的高頻和低頻C-V特性曲線可以得到柵氧化層厚度、界面 態密度、平帶電容、平帶電壓等參數。 q 實驗設備和測試結果
附錄三：半導體霍爾效應測試實驗
q 實驗目的 § 理解和掌握霍爾效應的原理 § 掌握霍爾效應的測量方法 § 掌握霍爾效應的分析方法 q 實驗原理 § 霍爾系數的符號來判斷半導體材料的導電類型，是N型還是P型；根據霍爾系數及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質電離能；通過霍爾系數和電阻率的聯合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布；測量低溫霍爾效應可以確定雜質補償度。 q 實驗設備和測試結果
附錄四：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
q 實驗目的 • 掌握激光二極管LD的基本原理 • 掌握激光二極管LD的測量方法 • 學習利用激光二極管LD的LIV特性曲線求解各種參數 q 實驗原理 § 半導體激光二極管（LD）或簡稱半導體激光器，它通過受激輻射發光，是一種閾值器件，適合于作高速長距離光纖通信系統的光源。一般用注入電流值來標定閾值條件，也即閾值電流 。LIV特性是選擇半導體激光器的重要依據。 q 實驗設備和測試結果
附錄五:太陽能電池的特性表征
q 實驗目的 § 掌握太陽能電池的基本原理 § 掌握太陽能電池的特性測試及分析方法 § 學習利用太陽能電池的電學特性曲線求解各種參數 q 實驗原理 § 光能就以產生電子-空穴對的形式轉變為電能。如果半導體內存在P-N結，則 在P型和N型交界面兩邊形成勢壘電場，能將電子驅向N區，空穴驅向P區， 在P-N結附近形成與勢壘電場相反的光生電場。若分別在P型層和N型層焊上 金屬引線，接通負載，則外電路便有電流通過。如此形成的一個個電池原件， 把它們串聯、并聯起來，就能產生一定的電壓和電流，輸出功率。 q 實驗設備和測試結果
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發表于 2019-6-20 17:12:24
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