為什么MOSFET會發生熱失控

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　　對于導通時或導通后不久的VGS的任何給定值，在更高結溫下，漏電流會更大，因為閾值電壓會隨著結溫上升而下降。下面一起來看一下本文的介紹。
　　一旦VGS超過閾值電壓，這個更大的電流反過來又提高了MOSFET的內部溫度，因此當工作在線性區中時，MOSFET內一部分會發生熱失控過程。
　　然而，在飽和區中，該過程是相反的：導通電阻隨著結溫而增大，限制了電流，因此拖延了熱失控。為了獲得良好的SOA性能，一個理想的FET應該具有低ZTC點，以減少熱失控的可能性。
　　使用SOA數據來管理線性區的操作，任何電子元件獲得過大功率都可能無法工作。導通時，MOSFET具有正溫度系數，對于任何指定的柵源電壓，它在更高的結溫下具有更大的灌電流。
　　MOSFET特別容易受到過大功率的危害，因為所施加的功率會導致自加熱，從而導致線性區熱失控。
　　這就是為什么MOSFET制造商會為每個器件給出安全操作曲線，用于表示在直流和脈沖模式中、線性區和飽和區內，MOSFET的什么操作是安全的。
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