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什么是存儲器？ 存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成： 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進(jìn)制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。 一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進(jìn)制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。假設(shè)一個存儲器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)（即5位十六進(jìn)制數(shù)）組成，則可表示220，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié)，則該存儲器的存儲容量為1KB。 存儲器的三類分類： 一、隨機(jī)存儲器 隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。 隨機(jī)存儲器特點(diǎn) 隨機(jī)存取。所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問（Sequential Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系。它主要用來存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。 易失性。當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。 對靜電敏感。正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。 訪問速度。現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲筆記本電腦內(nèi)存和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲設(shè)備相比，也顯得微不足道。 需要刷新（再生）。現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進(jìn)制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲器的易失性。 二、只讀存儲器 只讀存儲器（英語：Read-Only Memory，簡稱：ROM）。ROM所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫好的，整機(jī)工作過程中只能讀出，而不像隨機(jī)存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定 ，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會改變；其結(jié)構(gòu)較簡單，讀出較方便，因而常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。 只讀存儲器特點(diǎn) 只讀存儲器的特點(diǎn)是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM里面固化了一個基本輸入/輸出系統(tǒng)，稱為BIOS（基本輸入輸出系統(tǒng)）。其主要作用是完成對系統(tǒng)的加電自檢、系統(tǒng)中各功能模塊的初始化、系統(tǒng)的基本輸入/輸出的驅(qū)動程序及引導(dǎo)操作系統(tǒng)。 三、外存儲器 外儲存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。常見的外存儲器有硬盤、軟盤、光盤、U盤等。 存儲器24LC64T-I/MC www.dzsc.com/ic-detail/9_6971.html詳細(xì)規(guī)格 類別：存儲器 描述：IC EEPROM 64KBIT 400KHZ 8DFN 系列：- 制造商：Microchip Technology 格式_存儲器：EEPROMs - 串行 存儲器類型：EEPROM 存儲容量：64K (8K x 8) 速度：400kHz 接口：I?C，2 線串口 電壓_電源：2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度：-40°C ~ 85°C 封裝/外殼：8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝：8-DFN（2x3） 包裝：剪切帶 (CT) 存儲器類型：非易失 技術(shù)：EEPROM 存儲容量：64Kb （8K x 8） 時鐘頻率：400kHz 寫周期時間-字，頁：5ms 訪問時間：900ns 存儲器接口：I?C 電壓-電源：2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型：表面貼裝 封裝/外殼：8-DFN（2x3） 單電源，24AA64/24FC64設(shè)備的工作電壓為1.7V，24LC64設(shè)備的工作電壓為2.5V。 低功耗CMOS技術(shù)：有功電流1 mA，典型-備用電流1μA，典型2線串行接口，I2c兼容施密特觸發(fā)噪聲抑制輸入輸出坡度控制，以消除地面震動100 kHz和400 kHz時鐘兼容性 1 MHz時鐘，適用于FC版本 頁面寫入時間5 ms，典型值 自動定時擦除/寫入周期 32字節(jié)頁面寫入緩沖區(qū) 硬件寫保護(hù) ESD保護(hù)>4000 V 超過100萬個擦除/寫入周期 數(shù)據(jù)保留期>200年 工廠編程可用 包裝包括8鉛PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP和DFN無鉛和符合RoHS·溫度范圍：-工業(yè)（I）：-40°C至+85°C-汽車（E）：-40°C至+125°C 
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