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碳化硅(SiC)是一種寬帶隙材料,其性能優(yōu)勢為高壓電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所熟知。然而,過去支持它們的產(chǎn)品和供應(yīng)鏈的缺點(diǎn)似乎足以讓一些設(shè)計(jì)者不敢冒險(xiǎn)在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中使用碳化硅元件。
富昌電子這樣的分銷商處于獨(dú)特的位置,能夠看到在碳化硅MOSFET這樣的不斷增長的市場中發(fā)生的快速變化。現(xiàn)在可以清楚看到,過去可能會(huì)阻礙一些設(shè)計(jì)者的標(biāo)準(zhǔn)碳化硅產(chǎn)品的缺點(diǎn)幾乎已經(jīng)消失了。
想要在過去使用硅MOSFET或IGBT的電源電路中成功使用碳化硅MOSFET確實(shí)需要重新考慮設(shè)計(jì)方法。但是,與2014年甚至2015年相比,碳化硅MOSFET的可用性、可靠性和經(jīng)濟(jì)性都在2018年得到了顯著提高。相對于使用傳統(tǒng)硅MOSFET或IGBT、已經(jīng)無法進(jìn)步的系統(tǒng)來說,已經(jīng)準(zhǔn)備好使用新的高壓系統(tǒng)元器件、敢于冒險(xiǎn)的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以獲得更多的優(yōu)勢。
碳化硅:是時(shí)候打破其局限?
迄今為止,碳化硅MOSFET的使用一般僅限于非常注重效率、功率密度和較輕的重量,或高溫操作的終端產(chǎn)品類型。由于這些原因,碳化硅MOSFET廣泛用于:
可再生能源發(fā)電系統(tǒng)的逆變器
深孔鉆探設(shè)備
飛機(jī)
感應(yīng)加熱系統(tǒng)
極低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗:碳化硅MOSFET的零反向恢復(fù)電荷有助于顯著提高轉(zhuǎn)換效率。碳化硅MOSFET的導(dǎo)通電阻也比硅片低,導(dǎo)通電阻在整個(gè)溫度范圍內(nèi)更加穩(wěn)定。
高開關(guān)頻率:最高操作頻率比具有相同額定電壓的IGBT高十倍,這意味著碳化硅MOSFET需要更少的電感和電容,從而幫助設(shè)計(jì)人員減小系統(tǒng)尺寸和重量。
高導(dǎo)熱性,允許使用更小的散熱片,同樣有助于減小尺寸和重量。
高溫工作:為設(shè)計(jì)人員提供了更大的熱管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)空間,并且可以使用更小的散熱器。
盡管碳化硅材料相對于硅材料具有明顯的物理優(yōu)勢,但是,碳化硅在功率晶體管市場上的占有率仍然很小,這可能是由于設(shè)計(jì)人員對可用性、可靠性和經(jīng)濟(jì)性三個(gè)因素的擔(dān)憂所致。過去,這種擔(dān)憂有合理的基礎(chǔ):碳化硅MOSFET的確曾受到這些缺點(diǎn)的困擾。然而,這三個(gè)缺點(diǎn)在目前都已經(jīng)大大改善,甚至已經(jīng)完全消失。
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