碳化硅MOSFET過去阻礙電源系統設計人員的使用的三個缺點

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　　碳化硅（SiC）是一種寬帶隙材料，其性能優勢為高壓電力系統設計人員所熟知。然而，過去支持它們的產品和供應鏈的缺點似乎足以讓一些設計者不敢冒險在開關電源轉換器中使用碳化硅元件。
　　富昌電子這樣的分銷商處于獨特的位置，能夠看到在碳化硅MOSFET這樣的不斷增長的市場中發生的快速變化。現在可以清楚看到，過去可能會阻礙一些設計者的標準碳化硅產品的缺點幾乎已經消失了。
　　想要在過去使用硅MOSFET或IGBT的電源電路中成功使用碳化硅MOSFET確實需要重新考慮設計方法。但是，與2014年甚至2015年相比，碳化硅MOSFET的可用性、可靠性和經濟性都在2018年得到了顯著提高。相對于使用傳統硅MOSFET或IGBT、已經無法進步的系統來說，已經準備好使用新的高壓系統元器件、敢于冒險的設計人員現在可以獲得更多的優勢。
　　碳化硅：是時候打破其局限？
　　迄今為止，碳化硅MOSFET的使用一般僅限于非常注重效率、功率密度和較輕的重量，或高溫操作的終端產品類型。由于這些原因，碳化硅MOSFET廣泛用于：
　　可再生能源發電系統的逆變器
　　深孔鉆探設備
　　飛機
　　感應加熱系統
　　極低的開關和導通損耗：碳化硅MOSFET的零反向恢復電荷有助于顯著提高轉換效率。碳化硅MOSFET的導通電阻也比硅片低，導通電阻在整個溫度范圍內更加穩定。
　　高開關頻率：最高操作頻率比具有相同額定電壓的IGBT高十倍，這意味著碳化硅MOSFET需要更少的電感和電容，從而幫助設計人員減小系統尺寸和重量。
　　高導熱性，允許使用更小的散熱片，同樣有助于減小尺寸和重量。
　　高溫工作：為設計人員提供了更大的熱管理系統設計空間，并且可以使用更小的散熱器。
　　盡管碳化硅材料相對于硅材料具有明顯的物理優勢，但是，碳化硅在功率晶體管市場上的占有率仍然很小，這可能是由于設計人員對可用性、可靠性和經濟性三個因素的擔憂所致。過去，這種擔憂有合理的基礎：碳化硅MOSFET的確曾受到這些缺點的困擾。然而，這三個缺點在目前都已經大大改善，甚至已經完全消失。
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