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Diodes新系列高側/低側閘極驅動器采用 SO-8封裝以提供更高效能

發布時間:2019-3-22 10:14    發布者:傲壹電子
  為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半 導 體市場。公司推出全新系列的高電 壓、高速閘極驅動器,適用于轉換器、變頻器、馬達控制,以及 D 類功率放 大 器等應用。上述裝置適用于最高 100V 的馬達驅動應用,同時可支持以 200V 運作的功率轉換及反轉應用。這些功能使其非常適用于各種消費性與工業設計,包括電動工具、機 器 與無 人 機,以及小型電動車。


      DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 為涵蓋半橋與高側/低側拓撲的 200V 閘極驅動器,并采用標準低矮型 SO-8 封裝。這些裝置具有接面隔離位準偏移技術,可建立浮動信道高側驅動器,用于以最高 200V 運作的自舉式拓撲,并可驅動使用半橋組態的兩個 N 通道 M O S F E T。


  此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發的標準 T T L/C M O S 邏輯輸入,最低能以 3.3V 運作,因此很容易將驅動器連接至控制電 路。其輸出的設計可承受負瞬態,并包含適用于高側與低側驅動器的欠壓鎖定。


  DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電 流,DGD2012S8 則為 1.9A 與2.3A,在其范圍內皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內部停滯時間,而 DGD2005S8 在高側與低側之間切換時,最大傳播時間為 30ns。


  DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝,并可在 -40°C 至 +125°C 的寬廣溫度范圍中運作。



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