Diodes 公司 推出全新系列的高電壓、高速閘極驅(qū)動器，適用于轉(zhuǎn)換器、變頻器、馬達(dá)控制，以及 D 類功率放大器等應(yīng)用。上述裝置適用于最高 100V 的馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用，同時可支持以 200V 運(yùn)作的功率轉(zhuǎn)換及反轉(zhuǎn)應(yīng)用。這些功能使其非常適用于各種消費(fèi)性與工業(yè)設(shè)計(jì)，包括電動工具、機(jī)器人與無人機(jī)，以及小型電動車。
DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 為涵蓋半橋與高側(cè)/低側(cè)拓?fù)涞?200V 閘極驅(qū)動器，并采用標(biāo)準(zhǔn)低矮型 SO-8 封裝。這些裝置具有接面隔離位準(zhǔn)偏移技術(shù)，可建立浮動信道高側(cè)驅(qū)動器，用于以最高 200V 運(yùn)作的自舉式拓?fù)洌⒖沈?qū)動使用半橋組態(tài)的兩個 N 通道 MOSFET。 此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發(fā)的標(biāo)準(zhǔn) TTL/CMOS 邏輯輸入，最低能以 3.3V 運(yùn)作，因此很容易將驅(qū)動器連接至控制電路。其輸出的設(shè)計(jì)可承受負(fù)瞬態(tài)，并包含適用于高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動器的欠壓鎖定。 DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流，DGD2012S8 則為 1.9A 與 2.3A，在其范圍內(nèi)皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內(nèi)部停滯時間，而 DGD2005S8 在高側(cè)與低側(cè)之間切換時，最大傳播時間為 30ns。 DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝，并可在 -40°C 至 +125°C 的寬廣溫度范圍中運(yùn)作。 詳細(xì)信息請參閱 www.diodes.com |
