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晶體管簡介 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。 2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術界的一大突破。 定義 嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。 晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。 晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。 晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）。 分立半導體產品晶體管2STF2360 http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2689.html詳細參數 標準包裝：2,500 類別：分立半導體產品 家庭：晶體管（BJT） - 單路 系列：- 包裝：帶卷（TR） 晶體管類型：PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：500mV @ 150mA，3A電流 - 集電極截止（最大值）：-不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：160 @ 1A，2V功率 - 最大值：1.4W頻率 - 躍遷：130MHz安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-243AA 供應商器件封裝：SOT-89-3 其它名稱：497-6004-2 
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