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內存/閃存產能過剩 三巨頭明年一齊減產

發布時間:2018-12-21 09:48    發布者:eechina
關鍵詞: DRAM , NAND , 內存 , 閃存
這兩年,DRAM芯片和內存條價格經歷了一波瘋漲,如今已經慢慢回歸理智,而在另一方面,NAND閃存產能一直很充裕,SSD固態硬盤的價格也是持續走低,性價比越來越高。

但是這對于內存、閃存芯片廠商來說,并不是好消息,三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產能了。

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財務電話會議上表示,當前DRAM內存芯片市場查能過剩、庫存持續增加,導致價格下跌、拖累產業。

美光預計明年內存芯片產能增幅為15%,低于此前預期的20%,NAND閃存芯片也只會增長35%,低于此前預計的35-40%。

為了解決供過于求的問題,美光計劃將明年全年的資本支出下調12.5億美元降至95億美元,以減少DRAM內存、NAND閃存芯片產能。

不過產能調整需要時間,美光預計可能要明年下半年才會恢復供需平衡。

同時,三星、SK海力士也有類似的減產計劃,三星更是會增加晶圓代工市場份額,以彌補芯片降價帶來的損失。

市調機構IC Insights預計,明年半導體行業的整體資本支出可能會比今年減少12%,其中三星、Intel、SK海力士、臺積電、美光三巨頭合計減少14%,其他減少約7%。

看這意思,內存、固態硬盤的價格很可能會在明年年中前后出現反彈。


--快科技
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