|
美光12Gb LPDDR4X DRAM已在聯(lián)發(fā)科技Helio P90智能手機平臺的參考設計得到驗證 芯片封裝的內(nèi)存容量翻倍，單臺智能手機容量可達12GB LPDRAM 美光科技股份有限公司今日宣布，其低功耗、雙倍數(shù)據(jù)速率的單片式12Gb 4X（LPDDR4x）DRAM已通過驗證，適用于聯(lián)發(fā)科技新一代Helio P90智能手機平臺的參考設計。美光LPDDR4X能夠為單臺智能手機提供高達12GB1 的低功耗DRAM（LPDRAM）。它在單一封裝中堆疊多達8塊裸片，相對于上一代產(chǎn)品，在不增加占用空間的情況下，實現(xiàn)內(nèi)存容量翻倍。 隨著增強型移動應用的使用，消費者對手持設備中計算和數(shù)據(jù)密集的需求隨之增加，由此產(chǎn)生了對高價值存儲解決方案的需求，此類存儲解決方案能夠發(fā)揮下一代智能手機的全部潛能。作為業(yè)界容量最大的單片式移動存儲器，美光LPDDR4X通過其業(yè)界領先的帶寬、容量和功耗效率，助力智能手機制造商充分發(fā)揮多種優(yōu)勢：高分辨率成像、使用人工智能進行圖像優(yōu)化，以及多媒體功能。 美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Talluri博士表示：“美光致力于提升智能手機及其它邊緣設備的計算和數(shù)據(jù)處理能力，并與聯(lián)發(fā)科技等芯片組廠商密切合作。我們的單片式12Gb LPDDR4X 將促進人工智能和多媒體領域推出更多卓越的移動應用，隨著5G網(wǎng)絡的發(fā)展，其性能將進一步提升。” Helio P90智能手機芯片組搭載了聯(lián)發(fā)科技迄今為止最強的人工智能技術(shù)——APU 2.0架構(gòu)，該創(chuàng)新融合架構(gòu)專為強大的人工智能應用和游戲體驗而設計。 聯(lián)發(fā)科技無線通信事業(yè)部副總經(jīng)理林志鴻（Martin Lin）表示：“聯(lián)發(fā)科技的新一代Helio P90智能手機平臺將為人工智能和成像應用提供業(yè)界領先的性能，同時保持出色的功耗效率。在美光LPDDR4X的支持下，我們會致力于為智能手機平臺開發(fā)更多的先進技術(shù)，實現(xiàn)更豐富的移動體驗。” 美光LPDDR4X存儲器助力聯(lián)發(fā)科技提供業(yè)界最高的LPDDR4時鐘頻率，并在能耗方面做出了重大改進，提高移動設備在下一代應用中的性能。LPDDR4X數(shù)據(jù)傳輸速率高達4266 Mb/s，封裝纖薄，密度高，能夠滿足未來的邊緣人工智能數(shù)據(jù)處理需求。高數(shù)據(jù)速率有助于在設備上執(zhí)行機器學習以減少數(shù)據(jù)事務工作負載，同時仍可以在云端進行 AI 訓練。5G 移動技術(shù)即將部署，這些功能將支持更高的數(shù)據(jù)速率和實時數(shù)據(jù)處理，進一步為移動設備用戶提供更加身臨其境的無縫體驗。 聯(lián)發(fā)科技的新款 Helio P90 智能手機芯片組采用美光 LPDDR4X 技術(shù)，它將整合到移動設備中，預計將于 2019 年夏季投入量產(chǎn)。欲了解更多信息，請訪問：https://www.micron.com/solutions/mobile-memory。 |
