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英飛凌科技股份公司攜氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC（GaN EiceDRIVER IC），精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產品的優越性：它們具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕便的設計，從而降低系統總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產品的公司。 CoolGaN 600 V增強型HEMT： 最新發布的CoolGaN 600 V增強型HEMT采用可靠的常閉概念，它經專門優化，可實現快速開通和關斷。它們可在開關模式電源（SMPS）中實現高能效和高功率密度，其優值系數（FOM）在當前市場上的所有600 V器件中首屈一指。CoolGaN開關的柵極電荷極低，且具有極少輸出電容，可在反向導通狀態下提供優異的動態性能，進而大幅提高工作頻率，從而通過縮小被動元器件的總體尺寸，提高功率密度。 英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數校正（PFC）變流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。 放眼市場，CoolGaN擁有行業領先的可靠性。在質量控制過程中，我們不僅對器件本身進行全面測試，而且對其在應用環境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至優于最高質量標準。 CoolGaN 600 V增強型HEMT可提供70 mΩ和190 mΩ的SMD封裝，確保杰出的散熱性能和低寄生效應。通過提供全系列SMD封裝產品，英飛凌旨在支持高頻運行的應用，如企業級超大規模數據中心服務器、通信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。 氮化鎵開關管專用驅動IC（GaN EiceDRIVER IC）: 英飛凌新推出的氮化鎵開關管驅動芯片EiceDRIVER IC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔。它們經專門研發，以確保CoolGaN開關實現強健且高效的運行，同時最大限度地減少工程師研發工作量，加快將產品推向市場。 不同于傳統功率MOSFET的柵極驅動IC，這個針對英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處于關閉狀態的整個持續時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對于SMPS實現強健運行至關重要。氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作循環或開關速度影響。這可確保運行穩健性和很高能效，大大縮短研發周期。它集成了電隔離，可在硬開關和軟開關應用中實現強健運行。它還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護，并可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。 GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引腳LGA 5x5 mm封裝，1EDF5673F采用16引腳DSO 150 mil封裝，1EDS5663H采用16引腳DSO 300 mil封裝。 
供貨 全新CoolGaN 600 V增強型HEMT現已開始供貨，硅基GaN EiceDRIVER IC可供預訂。更多信息敬請訪問www.infineon.com/gan 和 www.infineon.com/gan-eicedriver。 |
