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一秒讓你讀懂MOS管的相關參數,You,Know?

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發表于 2018-10-30 17:25:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Rds(on):DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs: 最大GS電壓.一般為:-20V~+20V
Idm: 最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系
Pd: 最大耗散功率
Tj:  最大工作結溫,通常為150度和175度
Tstg:  最大存儲溫度
Iar:  雪崩電流
Ear: 重復雪崩擊穿能量
Eas:  單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss:DS擊穿電壓
Idss:  飽和DS電流,uA級的電流
Igss:  GS驅動電流,nA級的電流.
gfs: 跨導
Qg: G總充電電量
Qgs: GS充電電量
Qgd:  GD充電電量
Td(on): 導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr:  上升時間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td(off): 關斷延遲時間,輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間
Tf: 下降時間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 。
Ciss:  輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:  輸出電容,Coss=Cds +Cgd.
Crss:  反向傳輸電容,Crss=Cgc.
低壓MOS管 AP8205A TSSOP8特點:
雙N溝道TSSOP8薄體,密腳的
較小的導通電阻RDS(on)
低柵極電荷,柵極工作電壓低至2.5V
適用于保護電路,開關電路
根據以上參數,是否對表格有了一定的了解呢?我想一定很簡單吧。
銀聯寶電子技術研發人員為核心的設計團隊,成功完成新型工藝為代表MOSFET產品的設計和生產定型,大幅度降低了產品的RDS(ON),提高客戶產品的轉換效率,并率先將該類型產品在中國市場推出,產品的相關測試數據均達到歐美同類產品,同樣這高溫可靠性和穩定性方面表現優越。銀聯寶電子持續改進,永不止步期待與您一起努力向市場提供,更高性價比產品,共同提升核心競爭力。
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