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一秒讓你讀懂MOS管的相關(guān)參數(shù),You,Know?

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發(fā)表于 2018-10-30 17:25:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Rds(on):DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs: 最大GS電壓.一般為:-20V~+20V
Idm: 最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現(xiàn)一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關(guān)系
Pd: 最大耗散功率
Tj:  最大工作結(jié)溫,通常為150度和175度
Tstg:  最大存儲溫度
Iar:  雪崩電流
Ear: 重復雪崩擊穿能量
Eas:  單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss:DS擊穿電壓
Idss:  飽和DS電流,uA級的電流
Igss:  GS驅(qū)動電流,nA級的電流.
gfs: 跨導
Qg: G總充電電量
Qgs: GS充電電量
Qgd:  GD充電電量
Td(on): 導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr:  上升時間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td(off): 關(guān)斷延遲時間,輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間
Tf: 下降時間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 。
Ciss:  輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:  輸出電容,Coss=Cds +Cgd.
Crss:  反向傳輸電容,Crss=Cgc.
低壓MOS管 AP8205A TSSOP8特點:
雙N溝道TSSOP8薄體,密腳的
較小的導通電阻RDS(on)
低柵極電荷,柵極工作電壓低至2.5V
適用于保護電路,開關(guān)電路
根據(jù)以上參數(shù),是否對表格有了一定的了解呢?我想一定很簡單吧。
銀聯(lián)寶電子技術(shù)研發(fā)人員為核心的設計團隊,成功完成新型工藝為代表MOSFET產(chǎn)品的設計和生產(chǎn)定型,大幅度降低了產(chǎn)品的RDS(ON),提高客戶產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率,并率先將該類型產(chǎn)品在中國市場推出,產(chǎn)品的相關(guān)測試數(shù)據(jù)均達到歐美同類產(chǎn)品,同樣這高溫可靠性和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)越。銀聯(lián)寶電子持續(xù)改進,永不止步期待與您一起努力向市場提供,更高性價比產(chǎn)品,共同提升核心競爭力。
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