Rds(on):DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻 Vgs: 最大GS電壓.一般為:-20V~+20V Idm: 最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現(xiàn)一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關(guān)系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作結(jié)溫,通常為150度和175度 Tstg: 最大存儲溫度 Iar: 雪崩電流 Ear: 重復雪崩擊穿能量 Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量 BVdss:DS擊穿電壓 Idss: 飽和DS電流,uA級的電流 Igss: GS驅(qū)動電流,nA級的電流. gfs: 跨導 Qg: G總充電電量 Qgs: GS充電電量 Qgd: GD充電電量 Td(on): 導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間 Tr: 上升時間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間 Td(off): 關(guān)斷延遲時間,輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間 Tf: 下降時間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 。 Ciss: 輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 輸出電容,Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向傳輸電容,Crss=Cgc. 低壓MOS管 AP8205A TSSOP8特點: 雙N溝道TSSOP8薄體,密腳的 較小的導通電阻RDS(on) 低柵極電荷,柵極工作電壓低至2.5V 根據(jù)以上參數(shù),是否對表格有了一定的了解呢?我想一定很簡單吧。 銀聯(lián)寶電子技術(shù)研發(fā)人員為核心的設計團隊,成功完成新型工藝為代表MOSFET產(chǎn)品的設計和生產(chǎn)定型,大幅度降低了產(chǎn)品的RDS(ON),提高客戶產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率,并率先將該類型產(chǎn)品在中國市場推出,產(chǎn)品的相關(guān)測試數(shù)據(jù)均達到歐美同類產(chǎn)品,同樣這高溫可靠性和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)越。銀聯(lián)寶電子持續(xù)改進,永不止步期待與您一起努力向市場提供,更高性價比產(chǎn)品,共同提升核心競爭力。 銀聯(lián)寶科技是您低壓MOS管很好的選擇平臺,請多多關(guān)注銀聯(lián)寶科技官網(wǎng)!
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