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來源：安森美半導體 先前在博客《什么是LDO噪聲？第一部分》中，我們談到了什么是噪聲、如何分類，并介紹了安森美半導體提供的超低噪聲低壓降穩壓器。今天，我們將進一步詳細談談什么是積分噪聲。 積分噪聲值由噪聲譜密度函數的積分導出。然而，用函數表示任何一條曲線并將其積分非常復雜。將測量曲線分割成小部分更容易。如果每部分的頻差fn+1 – fn趨于0，則所有貢獻之和等于函數的積分。 
在實際測量中，實現fn+1 – fn的零頻差是不可能的，但有可能使其接近于零。噪聲譜密度測量有多個點，使我們能夠獲得較好精度的積分噪聲和檢測振蕩峰。在我們的例子中，我們有6,400點在10赫茲至100千赫的頻率范圍內。噪聲譜密度曲線由6,399個區間插值，表示為VNOISE,AVG,n。
下圖顯示NCP110 LDO穩壓器的噪聲譜密度。如果我們將NCP110 LDO穩壓器的測量值插入到最后的方程中，我們將得到積分噪聲的結果，如下表所示。雖然噪聲譜密度曲線由于COUT值較高而移動到一個較低的頻率，但積分噪聲增加。為什么會這樣呢？如下圖所示，您可看到這是因為與IOUT和COUT相關的峰值移動到10 Hz至100 kHz的范圍內，在此范圍內計算積分噪聲。
為什么不選一些輸出電容值高的LDO？如您所見，在輸出電容值升高，輸出電流降低時，與輸出電流和輸出電容有關的峰值，會上升并移動到有用的頻率范圍10 Hz至100 kHz。 高輸出電容值，例如10 uF，改善瞬態響應。更好的瞬態響應可能是使用高輸出電容值的一個原因。在本例中，NCP110在使用較高的輸出電容值時具有振鈴(超過一個下沖)和較長的對瞬態事件的穩定時間，但它仍然穩定。振鈴使峰值增大，積分噪聲也增加，如下表所示。NCP110 LDO穩壓器是為1 uF較低的輸出電容值而設計，附加電容改善了系統的瞬態響應，但影響了系統的噪聲性能。
積分噪聲是一種表示LDO在特定頻率范圍內產生多少噪聲的方法。了解如何測量這種噪聲和系統級設計選擇的影響在設計干凈的電源時很重要。請繼續關注下一篇關于電源抑制比(PSRR)的文章，我們將談談如何測量及對系統級設計的影響。同時，請查看我們的NCP110數據表，以了解有關本主題的更多信息。 |
