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12V300mA方案設(shè)計(jì)非隔離恒壓驅(qū)動(dòng)電源icSM7055替換CYT 驅(qū)動(dòng)芯片SM7055-12 是采用電流模式 PWM 控制方式的功率開(kāi)關(guān)芯片，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路 和高壓功率管，可實(shí)現(xiàn)低成本、高性價(jià)比開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)解決方案。 芯片應(yīng)用于 BUCK、BUCK-BOOST 系統(tǒng)方案，支持 12V 輸出電壓，很方便的應(yīng)用于小家電 產(chǎn)品領(lǐng)域。并提供了過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓等完善的保護(hù)功能，保證了系統(tǒng)的可靠性。 通過(guò)高壓 MOS 的電流 ID 分成兩個(gè)部分，其中一部分為 IS，這部分電流為芯片采樣電流 。IS 與 ID 成比例關(guān)系： ID = GID ? IS 通過(guò)上圖可知：(I S I FB ) ? R2 ? 0.23V 驅(qū)動(dòng)電源管理芯片SM7055-12主要特性: 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持：低成本 BUCK、 BUCK-BOOST 等方案 采用 730V 單芯片集成工藝 85Vac~265Vac 寬電壓輸入 待機(jī)功耗小于 120mW@220Vac 集成高壓?jiǎn)?dòng)電路 集成高壓功率開(kāi)關(guān) 60KHz 固定開(kāi)關(guān)頻率 內(nèi)置抖頻技術(shù)，提升 EMC 性能 電流模式 PWM 控制方式 內(nèi)置過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓等保護(hù)功能 內(nèi)置軟啟動(dòng) 內(nèi)置智能軟驅(qū)動(dòng)技術(shù)（提高 EMC 性能） 封裝形式：TO252-2、DIP8 SM7055驅(qū)動(dòng)電源管理芯片應(yīng)用領(lǐng)域: 電飯煲、電壓力鍋等小家電產(chǎn)品電源 漏源擊穿電壓 DRAIN 端關(guān)斷態(tài)漏電流 源漏端導(dǎo)通電阻 HVDD 開(kāi)啟電壓 HVDD 關(guān)閉電壓 HVDD 遲滯閾值電壓 HVDD 工作電流 芯片充電電流 從上式可以看出，IFB 電流大，ID 的電流就小；IFB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB 的電流大于(0.23V / R2) 時(shí)，芯片會(huì)關(guān)閉 PWM，同時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式。 注（1）：芯片要焊接在有 200mm2 銅箔散熱的 PCB 板，銅箔厚度 35um，銅箔連接到所 有的 GND 腳。 上圖為典型的 SM7055-12驅(qū)動(dòng)電源管理icBUCK-BOOST 電路，其中 C1、C2、L1 組成π型濾波，有益于改善 EMI 特 性；R1 電阻為浪涌抑制元件；D1 為整流二極管，構(gòu)成半波整流電路。 當(dāng)開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)后，C2 電容上的電壓會(huì)通過(guò)芯片內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管向芯片 HVDD 電 容 C3 充電，當(dāng) C3 電容電壓達(dá)到 11.5V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管關(guān)閉，同時(shí) PWM 開(kāi)啟，系統(tǒng)開(kāi)始工作。 當(dāng) C3 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號(hào)，同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，使系統(tǒng) 重新啟動(dòng)，這就是欠壓保護(hù)。 IC 的 DRAIN 腳與 GND 及 HVDD 之間需要開(kāi)槽，以滿足安規(guī)要求。 初級(jí)環(huán)路與測(cè)試環(huán)路的走線距離盡量粗而短，以便更容易通過(guò) EMC 測(cè)試。 |
