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T5503HS是針對 LP-DDR5和 DDR5存儲(chǔ)器新功能及特點(diǎn)而專門定制設(shè)計(jì)的全新測試系統(tǒng) 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體測試設(shè)備供應(yīng)商愛德萬測試推出了其 T5503HS2 高速存儲(chǔ)器測試系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅能為當(dāng)前最高速存儲(chǔ)器芯片提供業(yè)界最高效的量產(chǎn)測試解決方案，同時(shí)也可以覆蓋下一代超高速 DRAMs 存儲(chǔ)芯片。在目前全球?qū)Υ鎯?chǔ)器需求飛速增長的時(shí)代背景下，T5503HS2 全新測試系統(tǒng)的靈活性擴(kuò)展了 T5503 系列產(chǎn)品在當(dāng)前“超級周期”中的功能。 
存儲(chǔ)器超級周期由飛速增長的終端市場所驅(qū)動(dòng)，這個(gè)終端市場包括便攜式電子設(shè)備及服務(wù)器。根據(jù)市場調(diào)研公司 IHS Markit 的調(diào)研，自 2009 年起移動(dòng)型內(nèi)存的比特市占率增長超過了 500%。調(diào)研公司 IHS Markit 預(yù)估到 2021 年，1200 億 GB 的DRAM 容量將被數(shù)據(jù)處理應(yīng)用市場所需要，諸如移動(dòng)電子設(shè)備，數(shù)據(jù)中心，汽車，游戲和顯卡。為了滿足這一龐大的增長需求，芯片制造商正在研發(fā)新型的，先進(jìn)的SDRAM技術(shù)，如高達(dá)每秒 6.4GB數(shù)據(jù)傳輸速度的 DDR5 和 LPDDR5 存儲(chǔ)器芯片。 愛德萬測試的 T5503HS2 是設(shè)計(jì)用于提供針對新型存儲(chǔ)器和現(xiàn)有器件的測試解決方案。它的測試速率最快能達(dá)到 8 Gbps 同時(shí)測試精度在±45 皮秒。充分利用其16,256 的數(shù)據(jù)通道，這個(gè)全能型測試系統(tǒng)在測試下一代 LP-DDR5 和 DDR5 器件的同時(shí)也允許使用者兼容測試現(xiàn)今的 DDR4，LP-DDR4 及高帶寬存儲(chǔ)器器件，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體業(yè)界最高的同測數(shù)和最優(yōu)利潤率。配置的4.5GHz 高速時(shí)鐘選配模塊使新測試機(jī)擁有了以超過 8 Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率來應(yīng)對未來存儲(chǔ)器芯片測試的可擴(kuò)展性。 獨(dú)特的性能使 T5503HS2 成為了獨(dú)一無二的新一代量產(chǎn)測試機(jī)，內(nèi)置的超高速存儲(chǔ)器可支持測試 LP-DDR5 和 DDR5 器件的關(guān)鍵性能。例如，通過實(shí)時(shí)追蹤功能， 測試機(jī)能夠自動(dòng)識別和調(diào)整 DQS-DQ 間時(shí)序差異來確保更多的時(shí)序余量。此外，一個(gè) 強(qiáng)健的新型邏輯算法模式生成器(ALPG)允許對先進(jìn)器件的特性進(jìn)行快速高品質(zhì)評價(jià)。 T5503HS2 中也配置了一個(gè)新型可編程電源供給單元，這個(gè)電源供給單元的反應(yīng)速度是之前版本的四倍，同時(shí)帶來更低的電壓壓降。 目前使用 T5503 測試系統(tǒng)的用戶可以將設(shè)備升級成為新的 T5503HS2 測試系統(tǒng)，來為下一代存儲(chǔ)器器件的測試實(shí)現(xiàn)無縫經(jīng)濟(jì)的產(chǎn)品線過渡。 愛德萬測試執(zhí)行董事 Masuhiro Yamada 稱 “我們的 T5503HS2 擁有一流的性能和對應(yīng)下一代存儲(chǔ)器芯片高速測試時(shí)所需的精度。這個(gè)測試系統(tǒng)有無與倫比的可擴(kuò)展性和生產(chǎn)同測能力，使它在評價(jià) LP-DDR5 和 DDR5 器件時(shí)做到快速，精確和最優(yōu)利潤率。” |
