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由四個N-MOS組成,能夠以高達(dá)3.6A的峰值電流適用于打印機(jī)、機(jī)器人雙向控制電機(jī)

發(fā)布時間:2018-7-30 10:20    發(fā)布者:dnsj999
     今天詳細(xì)說下上次介紹的AT4950,可PIN TO PIN替代大部分進(jìn)口的驅(qū)動芯片產(chǎn)品,如:ALLEGRO研發(fā)的A4950等等都是可直接替換使用的。AT4950是一款刷式直流電機(jī)驅(qū)動器,VM單電源供電,內(nèi)置電荷泵。兩個邏輯輸入控制H橋驅(qū)動器,該驅(qū)動器由四個N-MOS組成,能夠以高達(dá)3.6A的峰值電流雙向控制電機(jī)。該芯片利用電流衰減預(yù)置最大輸出電流,能夠?qū)㈦娏飨拗圃谀骋灰阎健H绻麑蓚輸入均置為低電平,則電機(jī)驅(qū)動器將進(jìn)入低功耗休眠模式。內(nèi)部關(guān)斷功能包含過流保護(hù),短路保護(hù),欠壓鎖定和過溫保護(hù)。
BridgeControl
輸入管腳IN1、IN2控制H 橋的輸出狀態(tài)。下表顯示了彼此間的邏輯關(guān)系。
  
IN1
  
IN2
OUT1
OUT2
說明
0
0
Z
Z
滑行,休眠
1
0
H
L
正向
0
1
L
H
反向
1
1
L
L
剎車
H 橋控制邏輯表
邏輯輸入也可以使用PWM 控制來達(dá)到調(diào)速功能。當(dāng)用PWM波控制一個橋臂時,并且在驅(qū)動電流為關(guān)斷時,由于電機(jī)的電感特性要求電流連續(xù)流通。這個電流叫做續(xù)流。為了操作這種電流,H橋可以操作在兩種不同的狀態(tài),快衰減或者慢衰減。在快衰減模式,H橋是被禁止的,續(xù)流電流流經(jīng)體二極管;在慢衰減模式,電機(jī)的下臂是短路的。
當(dāng)PWM 控制用于快衰模式,PWM信號控制一個xIN 管腳,而另一個管腳維持低電平;當(dāng)運(yùn)用于慢衰減,
另一管腳維持高電平。
PWM Control of Motor Speed
  
IN1
  
IN2
FUNCTION
PWM
0
Forward PWM,fast decay
1
PWM
Forward PWM,slow decay
0
PWM
Reverse PWM,fast decay
PWM
1
Reverse PWM,slow decay
下圖顯示了在不同驅(qū)動和衰減模式下的電流通路。
Driveand
CurrentControl
通過固定頻率的PWM 電流整流器,流過電機(jī)驅(qū)動橋臂的電流是被限制的或者是被控制的。在DC電機(jī)應(yīng)
用中,電流控制功能作用于限制開啟電流和停轉(zhuǎn)電流。
當(dāng)一個H 橋被使能,流過相應(yīng)橋臂的電流以一個斜率上升,此斜率由直流電壓VM和電機(jī)的電感特性決定。
當(dāng)電流達(dá)到設(shè)定的閾值,驅(qū)動器會關(guān)閉此電流,直到下一個PWM循環(huán)開始。注意,在電流被使能的那一刻,
ISEN管腳上的電壓是被忽略的,經(jīng)過一個固定時間后,電流檢測電路才被使能。這個消隱時間一般固定在2us。這個消隱時間同時決定了在操作電流衰減時的最小PWM時間。
PWM 目標(biāo)電流是由比較器比較連接在ISEN管腳上的電流檢測電阻上的電壓乘以一個10倍因子和一個參
考電壓決定。參考電壓通過VREF輸入。以下公式為100%計算目標(biāo)電流:
舉個例子:假如使用了一個0.15Ω的電阻,參考電壓為3.3V,這樣目標(biāo)電流為2.2A。
注意:假如電流控制功能不需要使用,ISEN管腳需直接接地。
電流衰減時序
當(dāng)電流達(dá)到ITRIP,H橋的兩個下管打開,維持一個tOFF時間(25us),然后相應(yīng)上管再打開。
DEADTIME
當(dāng)輸出由高電平轉(zhuǎn)變成低電平,或者由低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖剑绤^(qū)時間的存在是為了防止上下管同時導(dǎo)通。
死區(qū)時間內(nèi),輸出是一個高阻態(tài)。當(dāng)需要在輸出上測量死區(qū)時間,需要根據(jù)相應(yīng)管腳當(dāng)時的電流方向來測量。
如果電流是流出此管腳,此時輸出端電壓是低于地電平一個二極管壓降;如果電流是流入此管腳,此時輸出端電壓是高于電源電壓VM一個二極管壓降。
死區(qū)時間
休眠模式
當(dāng)IN1、IN2都為低,維持1ms 以上,器件將進(jìn)入休眠模式,從而大大降低器件空閑的功耗。進(jìn)入休眠模式后,器件的H橋被禁止,電荷泵電路停止工作。在VM上電時候,如果IN1、IN2都為低,芯片是立馬進(jìn)去休眠模式。當(dāng)IN1或IN2 翻轉(zhuǎn)為高電平且至少維持5us,經(jīng)過延遲約50us,芯片恢復(fù)到正常的操作狀。
保護(hù)電路
AT4950 有過流保護(hù),短路保護(hù),過溫保護(hù)和欠壓保護(hù)。
過流保護(hù)(OCP)
在每一個FET 上有一個模擬電流限制電路,此電路限制流過FET的電流,從而限制門驅(qū)動。如果此過流
模擬電流維持時間超過OCP脈沖時間,H 橋內(nèi)所有FET被禁止。經(jīng)過一個OCP 嘗試時間(tOCP),驅(qū)動器會
被重新使能。如果這個錯誤條件仍然存在,上述這個現(xiàn)象重復(fù)出現(xiàn)。如果此錯誤條件消失了,驅(qū)動恢復(fù)正常工作。
H 橋上臂和下臂上的過流條件是被獨立檢測的。對地短路,對VM短路,和輸出之間短路,都會造成過流
關(guān)閉。注意,過流保護(hù)不使用PWM電流控制的電流檢測電路,所以過流保護(hù)功能不作用與ISEN電阻。
過溫保護(hù)(TSD)
如果結(jié)溫超過安全限制閾值,H 橋的FET被禁止。一旦結(jié)溫降到一個安全水平,所有操作會自動恢復(fù)正常。
欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)在任何時候,如果VM管腳上的電壓降到低于欠壓鎖定閾值,內(nèi)部所有電路會被禁止,內(nèi)部所有復(fù)位。當(dāng)VM上的電壓上升到UVLO以上,所有功能自動恢復(fù)。
單通道刷式直流電機(jī)驅(qū)動AT4950應(yīng)用示例2355239046.pdf (1.12 MB)

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18682191257 發(fā)表于 2018-8-1 16:55:53
請問需要小批量貼片插件加工嗎?
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