|
擴(kuò)展了氮化鎵(GaN)和LDMOS技術(shù)產(chǎn)品組合，全面提供各種高功率產(chǎn)品 恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)展其豐富的GaN和硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Si-LDMOS)蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合，推動(dòng)創(chuàng)新，以緊湊的封裝提供行業(yè)領(lǐng)先的性能，助力下一代5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)發(fā)展。 5G連接涉及頻譜擴(kuò)展、更高階位調(diào)制、載波聚合、全維波束賦形等關(guān)鍵技術(shù)，因此需要擴(kuò)大技術(shù)基礎(chǔ)才能支持增強(qiáng)移動(dòng)寬帶連接。根據(jù)頻譜使用情況和網(wǎng)絡(luò)占位空間，實(shí)施“多輸入多輸出”(MIMO)技術(shù)需采用四根(4TX)發(fā)射天線到64根甚至更多天線。5G網(wǎng)絡(luò)的未來將取決于GaN和Si-LDMOS技術(shù)，而恩智浦一直身處射頻功率放大器開發(fā)的前沿。 “恩智浦于1992年推出全球首款LDMOS產(chǎn)品，此后25年一直處于領(lǐng)導(dǎo)地位。現(xiàn)在，恩智浦依托成功的歷史經(jīng)驗(yàn)，以行業(yè)領(lǐng)先的GaN技術(shù)鞏固了自己的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位，為蜂窩移動(dòng)應(yīng)用提供出色的線性效率，”恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業(yè)部總經(jīng)理Paul Hart表示，“憑借出色的供應(yīng)鏈、全球應(yīng)用支持和行業(yè)內(nèi)出色的設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)，恩智浦已成為5G解決方案領(lǐng)先的射頻合作伙伴。” 在IMS 2018展會(huì)上，恩智浦推出全新射頻GaN寬帶功率晶體管，擴(kuò)展其適用于宏蜂窩和戶外小型基站解決方案的Airfast第三代Si-LDMOS產(chǎn)品組合。新產(chǎn)品包括： • A3G22H400-04S: 這款GaN產(chǎn)品非常適合40 W基站，效率高達(dá)56.5%，增益為15.4 dB覆蓋從1800 MHz 到2200 Mhz的蜂窩頻段。 • A3G35H100-04S：這款GaN產(chǎn)品提供43.8%的效率和14 dB的增益，可在3.5 GHz下實(shí)現(xiàn)16 TX MIMO解決方案。 • A3T18H400W23S：這款Si-LDMOS產(chǎn)品以1.8 GHz的頻率領(lǐng)跑5G時(shí)代，Doherty效率高達(dá)53.4%，增益為17.1 dB。 • A3T21H456W23S：這款解決方案覆蓋從2.11 GHz到2.2 GHz的全部90 MHz頻帶，體現(xiàn)了恩智浦Si-LDMOS產(chǎn)品出色的效率、射頻功率和信號(hào)帶寬性能。 • A3I20D040WN：在恩智浦集成式超寬帶LDMOS產(chǎn)品系列中，這款解決方案提供46.5 dBm的峰值功率、365 MHz的帶寬以及32 dB的AB級(jí)性能增益，在10 dB OBO時(shí)的效率達(dá)18%。 • A2I09VD030N：這款產(chǎn)品具有46 dBm的峰值功率，AB級(jí)性能增益為34.5 dB，在10 dB OBO時(shí)的效率為20%。這款產(chǎn)品的射頻帶寬為575 MHz至960 MHz。 恩智浦提供豐富多樣的射頻功率技術(shù)產(chǎn)品，涵蓋GaN、硅-LDMOS、SiGe和GaAs，支持覆蓋頻率和功率頻譜和多種集成度的5G產(chǎn)品。恩智浦不僅提供廣泛的選擇、構(gòu)建數(shù)字計(jì)算產(chǎn)品，還支持基帶處理應(yīng)用，是端到端5G解決方案獨(dú)特的供應(yīng)商。 更多信息，請(qǐng)?jiān)L問www.nxp.com/RF。 |
