ARM中ROM，RAM，F(xiàn)LASH基礎(chǔ)知識備忘

技術(shù)小白

RAM(Random Access Memory)的全名為隨機(jī)存取記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動存儲，用來存儲和保存數(shù)據(jù)的。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。

不過，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入到一個(gè)長期的存儲器中(例如硬盤)。正因?yàn)槿绱耍�有時(shí)也將RAM稱作“可變存儲器”。RAM內(nèi)存可以進(jìn)一步分為靜態(tài)RAM(SRAM)和動態(tài)內(nèi)存(DRAM)兩大類。DRAM由于具有較低的單位容量價(jià)格，所以被大量的采用作為系統(tǒng)的主記憶。

ROM(Read Only Memory)的全名為唯讀記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的硬盤，用來存儲和保存數(shù)據(jù)。ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新，但是在任何時(shí)候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。但是資料一但寫入后只能用特殊方法或根本無法更改，因此ROM常在嵌入式系統(tǒng)中擔(dān)任存放作業(yè)系統(tǒng)的用途。現(xiàn)在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。

RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM就不會。

由于ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當(dāng)麻煩，因此就有了Flash Memory的發(fā)展 ，F(xiàn)lash Memory具有ROM不需電力維持資料的好處，又可以在需要的時(shí)候任意更改資料 ，不過單價(jià)也比普通的ROM要高。

SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。動態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM)保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。

DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。

DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

內(nèi)存工作原理：內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存(即DRAM)，動態(tài)內(nèi)存中所謂的"動態(tài)"，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。

具體的工作過程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時(shí)間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電;若電量小于1/2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。

ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可編程ROM)兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長，寫入很慢。

舉個(gè)例子，手機(jī)軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時(shí)是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄(通話記錄保存在EEPROM中)，因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作(通話)要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。

FLASH存儲器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢)，U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲設(shè)備，然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。

目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動代碼。

一般小容量的用NOR Flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。

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