NXP MRFX1K80H晶體管在貿澤開售，65V LDMOS技術讓射頻功率設計提速

發布時間：2017-10-20 18:55 發布者：eechina

關鍵詞： LDMOS , MRFX1K80H

貿澤電子 (Mouser Electronics)，即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管。MRFX1K80H 是MRFX系列射頻 (RF) MOSFET晶體管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）技術。MRFX1K80H運用LDMOS技術來提高寬頻應用的輸出功率，同時維持適當的輸出阻抗。

貿澤備貨的NXP MRFX1K80H LDMOS晶體管能在65V連續波時提供1800W功率，適用于1.8至470 MHz的射頻應用，并且能在所有相角下提供65:1的電壓駐波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗，可縮短整體開發時間。MRFX1K80H 設計用于30V到65V擴展級電源范圍，并具備高擊穿電壓特性，能增強可靠性，提升效率。這種耐高壓特性還可降低系統電流，從而限制直流電源上的應力并減少磁輻射。高輸出功率還能減少晶體管數，簡化功率放大器復雜度，并降低整體成本。

MRFX1K80H適用于具有適當偏置的線性應用，并提供集成靜電放電 (ESD) 防護，改善C類放大器運行性能。MRFX1K80H的目標應用包括工業、科學與醫療 (ISM) 應用以及廣播、航空航天與移動無線電設備。

更多有關NXP MRFX1K80H LDMOS晶體管的信息，敬請訪問http://www.mouser.com/new/nxp-semiconductors/nxp-mrfx1k80/。

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-518130-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。