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來源：全球半導體觀察 存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。 當前，雖然我國缺乏大規模存儲芯片生產廠家，但全球集成電路產業增長放緩，為我國實現趕超、縮小差距提供了難得機遇。 未來，隨著武漢光谷國家存儲器基地逐步建成，我國存儲器產業的發展也將再上新臺階。 2016年年底，總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢光谷開工，國家存儲器基地動工建設，標志著中國存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，這是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”新模式的成功探索。未來，這里將建起“航母級芯片工廠”。 中國玩家來了 據介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設，總占地面積1968畝。 以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體，建成后還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節發展。 存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。 隨著大數據、云計算產業發展，存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%，未來5年內將達到45%左右。專業人士認為，當前全球集成電路產業增長放緩，為我國實現趕超、縮小差距提供了難得機遇。 此前，我國沒有大規模存儲芯片生產廠家。”紫光集團董事長趙偉國介紹，由于技術難度高、投資總量大，目前全球僅有三星、東芝、美光、海力士四大“玩家”能生產主流存儲器。要贏得存儲芯片制造的競爭，就必須建起“航母級”芯片工廠。“核心生產廠房和設備每平方米投資強度超過3萬美元，相當于每平方米面積的核心廠房，都是用300張一百美元面值的鈔票堆出來的”。趙偉國如此形容項目投資金額之巨大。 存儲器三巨頭亮相IC China展示國內存儲新技術 2017年10月25-27日在上海舉辦的IC China 2017聚集了長江存儲、晉華存儲、佰維存儲國內重要存儲企業。 長江存儲科技已經研發出了國產32層堆棧的3D NAND閃存，預計2018-2019年間量產，此外還在開發更先進的64層堆棧產品。2020年技術上有望趕超國際先進水平。解決了NAND芯片之后，長江存儲下一步就要積極進軍DRAM內存領域了，1月份開始擔任長江存儲執行副董的高啟全日前對外表示長江存儲已經組建了500多人的研發隊伍，正在研發自己的DRAM制造技術，報道還稱國產DRAM很有可能直接進入20/18nm先進工藝時代。 晉華存儲器集成電路生產項目就坐落在泉州晉江的集成電路產業園，由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規劃面積594畝，一期投資370億元，建設內容包括晶圓制造、產業鏈配套等，預計2018年9月形成月產6萬片12寸先進制程內存晶圓的生產規模。項目建成后將填補我國主流存儲器領域空白。據悉，作為國家重點支持的DRAM存儲器生產項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產力布局規劃重大項目清單，并獲得國家專項建設基金支持。 作為存儲和封測企業的代表，BIWIN佰維攜存儲解決方案和封測解決方案亮相展會。眾所周知，科技產品如何變化創新，存儲都是必須的硬件配置，而小型化、集成化又是智能硬件的必然趨勢，而這就是BIWIN要做的專注存儲與電子產品微型化——為您的創新產品提升新價值！ 在半導體產業上升為國家戰略的大背景下，我國芯片產業鏈上的企業發展前景值得期待。 |
