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來源：SEMI中國 9月19日，英特爾執行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith在北京手捧10nm工藝Wafer宣布，英特爾正式推出最新的10nm工藝制程。 
英特爾10納米工藝采用第三代 FinFET技術，相比其他所謂的“10納米”，英特爾10納米預計將會領先整整一代。英特爾10 納米工藝使用的超微縮技術 (hyper scaling)，充分運用了多圖案成形設計 (multi-patterning schemes)，并助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產品，以滿足客戶端、服務器以及其它各類市場的需求。 單個晶體管成本 10納米提高了晶體管密度并降低了單個晶體管成本 英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業界其他“10納米”制程的2倍。 10 納米超微縮 柵極間距 10納米的大幅微縮和新特性把晶體管密度提高了2.7倍 晶體管密度 英特爾10納米把邏輯晶體管密度提高了2.7倍 相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領先性能。全新增強版的10 納米制程——10++，則可將性能再提升15%或將功耗再降低30%。 英特爾稱其10納米制程：通過超微縮技術實現業界最高的邏輯晶體管密度。面對媒體近期喧囂英特爾被超越，英特爾副總裁、中國總裁楊旭現場回應：“老虎不發威，還當我是病貓呢！”
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