美國工程院、中國工程院、臺灣中研院施敏院士在北工大-Xilinx合作大會(huì)上剛剛做的特邀報(bào)告
大會(huì)特邀報(bào)告施敏院士.pdf
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施敏（Simon M·Sze） 美國籍，微電子科學(xué)技術(shù)、半導(dǎo)體器件物理專業(yè)，臺灣交通大學(xué)電子工程學(xué)系毫微米元件實(shí)驗(yàn)室教授，美國工程院院士。1936年出生。1957年畢業(yè)于臺灣大學(xué)。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學(xué)和斯坦福大學(xué)碩士與博士學(xué)位。 施敏博士是國際知名的微電子科學(xué)技術(shù)與半導(dǎo)體器件專家和教育家。他是非揮發(fā)MOS場效應(yīng)記憶晶體管（MOSFET）的發(fā)明者，這項(xiàng)發(fā)明已成為世界集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品之一，90年代初其產(chǎn)值已達(dá)100億美元。此外，他還有多項(xiàng)創(chuàng)造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發(fā)現(xiàn)崩潰電壓與能隙的關(guān)系，建立了微電子元件最高電場的指標(biāo)，如此等等。 施敏博士在微電子科學(xué)技術(shù)著作方面舉世聞名，對半導(dǎo)體元件的發(fā)展和人才培養(yǎng)方面，作出貢獻(xiàn)。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國文字，發(fā)行量逾百萬冊；他的著作廣泛用作教科書與參考書。由于他在微電子器件及在人才培養(yǎng)方面的貢獻(xiàn)，先后被選為臺灣中央研究院院士和美國國家工程院院士；1991年他得到IEEE電子器件的最高榮譽(yù)獎(jiǎng)（Ebers獎(jiǎng)），稱他在電子元件領(lǐng)域做出了基礎(chǔ)性及前瞻性貢獻(xiàn)。 施敏博士多次來國內(nèi)講學(xué)，參加我國微電子器件研討會(huì)；他對臺灣微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，曾提出過有份量的建議。他曾一再表示愿為我國微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供咨詢。 |
