OptiMOS推出線性場效應(yīng)晶體管，兼具低RDS(on)值與大安全工作區(qū)

發(fā)布時間：2017-7-31 15:56 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞： OptiMOS , MOSFET

英飛凌科技股份公司推出OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管系列。這個全新產(chǎn)品系列兼具溝槽型功率場效應(yīng)管的低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與平面MOSFET的大安全工作區(qū)。這就解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問題。OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管可在增強模式MOSFET的飽和區(qū)工作。OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管最適合電信和電池管理系統(tǒng)（BMS）中常見的熱插拔、電子熔斷器和保護應(yīng)用。

耐用的線性模式操作和更高的脈沖電流都有助于實現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗、更快啟動和更短的停機時間。通過限制較高的勵磁涌流，OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管可在發(fā)生短路的情況下防止負載損壞。

供貨

OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管現(xiàn)可供貨，有三個電壓等級：100 V、150 V和200 V。它們可采用D2PAK或D2PAK 7pin封裝。這些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝兼容簡易替換元件。如需了解詳情，敬請訪問：www.infineon.com/optimos-linearfet。

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