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在這前所未見(jiàn)的低迷氣氛中，過(guò)去一年來(lái)，這些公司發(fā)布的大規(guī)模投資計(jì)劃著實(shí)令人驚訝。SEMI的研究顯示，未來(lái)2年內(nèi)，這六家公司還將投入大量資金，以迎接經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)。
臺(tái)積電(TSMC)：在經(jīng)濟(jì)衰退之際，臺(tái)積電仍然連續(xù)兩次調(diào)高了資本支出。2009年5月，臺(tái)積電首次將其資本支出計(jì)劃從15億美元擴(kuò)大為19億美元，而在同年7月底，再次宣布加碼至23億美元。2010年，隨著半導(dǎo)體需求持續(xù)復(fù)蘇，加上全球經(jīng)濟(jì)開(kāi)始走出衰退陰影，臺(tái)積電的資本支出也預(yù)計(jì)將達(dá)到20 億美元以上。
GlobalFoundries：GlobalFoundries的合作伙伴──來(lái)自杜拜的ATIC公司，投資了21億美元購(gòu)買其晶圓廠股份。 ATIC已承諾額外注入36億美元股票資金(equity funding)，并在未來(lái)5年內(nèi)提高至60億美元，協(xié)助GlobalFoundries擴(kuò)展業(yè)務(wù)。2009年，該晶圓廠的資本支出估計(jì)在6~7億美元之間，未來(lái)兩年則可望提升至每年10億美元以上。
東芝(Toshiba)：2009年6月，東芝開(kāi)始在全球股票市場(chǎng)集資30億美元進(jìn)行晶圓廠投資。這是過(guò)去8年來(lái)，全日本由非金融公司所進(jìn)行的最大股票發(fā)行案。東芝將繼續(xù)專注于NAND閃存，并擴(kuò)大其與IBM聯(lián)盟的伙伴關(guān)系，并更新與三星 (Samsung)的NAND專利協(xié)議。東芝公司在 2009~2011會(huì)計(jì)年度的的總資本支出計(jì)劃是11億日?qǐng)A(約115億美元)。其中，2009年用于半導(dǎo)體事業(yè)的資本支出計(jì)劃為9,400億美元。約 47億美元將用于2010和2011會(huì)計(jì)年度。2010年額度約20億美元，2011年預(yù)計(jì)將稍高一些。
三星：三星的最新動(dòng)作，是將位于奧斯汀的200mm產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為300mm的后段制程(BEOL)產(chǎn)線，以支援其現(xiàn)有的300mm前段制程。三星公司 (Austin)總裁Y.B. Koh希望獲得“制造業(yè)回到裸墻。”SEMI估計(jì)，三星在2010年的資本支出約為40～50億美元，主要用于升級(jí)德州Austin 1與Austin 2，以及韓國(guó)的Line 15與Line 16產(chǎn)線。
英特爾(Intel)：2009年4月，英特爾宣布在未來(lái)幾年內(nèi)，將花費(fèi)70億美元來(lái)改善現(xiàn)有設(shè)施，以推動(dòng)32nm技術(shù)量產(chǎn)。SEMI預(yù)測(cè)，這70億美元中，約有30~40億美元會(huì)用于2009年，其余將用在2010年。
華亞科技(Inotera)：這家由南亞(NanYa)與美光(Micron)合資成立的公司宣布了一個(gè)16億美元的計(jì)劃，將從70nm溝槽式技術(shù)轉(zhuǎn)換到 50nm的堆棧電容技術(shù)，并使用浸入式蝕刻工具。華亞擁有來(lái)自于南亞母公司臺(tái)塑的強(qiáng)大財(cái)政支柱。其工廠預(yù)計(jì)在今年稍晚至明年進(jìn)行裝配，這可為該公司在 2010年貢獻(xiàn)約10億美元的資本支出。 |
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發(fā)表于 2009-9-12 12:36:36
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