硅晶(單晶,多晶,非晶)太陽(yáng)能18%>薄膜太陽(yáng)能8 %CPV需要 ... 全新第三代太陽(yáng)能芯片- 不一樣的動(dòng)力能源組件 " />
砷化鎵太陽(yáng)能,是市場(chǎng)上,效能最高的的太陽(yáng)能芯片 有別于市場(chǎng)上,硅晶太陽(yáng)能的效率 砷化鎵太陽(yáng)能30% > 硅晶(單晶,多晶,非晶)太陽(yáng)能18% > 薄膜太陽(yáng)能8 % CPV需要的砷化鎵芯片,現(xiàn)以模塊化的型式,更方便客戶(hù)的應(yīng)用。 我司采用的散熱是最佳的陶瓷基板,芯片確實(shí)貼合,緊密無(wú)氣泡及水氣,并覆以特殊膠質(zhì),除了防灰塵也保護(hù)金線電極,高溫下也不變質(zhì)變色變型。 模塊背層鍍上鈀金,直接可以mount裁好的銅片上,銅片固定在您的機(jī)構(gòu)即可。 想進(jìn)入CPV 的客戶(hù),更加容易上手。 如圖所示是砷化鎵太陽(yáng)能模塊,方便使用。 采用的散熱是最佳的陶瓷基版,覆銅以最新燒結(jié)銅技術(shù),芯片底層銀膠貼合。 電極以純金線拉出,并覆以特殊膠質(zhì),除了防灰塵,高溫下也不變質(zhì)變色變型。 且看這一小小的模塊如下圖 芯片尺寸5.6mm *6.5mm 砷化鎵太陽(yáng)能芯片的優(yōu)異在于耐熱和可聚焦發(fā)電( 正是硅晶的致命傷 ) 其優(yōu)點(diǎn)就是用這一小小片的面積可以產(chǎn)生同等于硅晶4倍面積的能力。 以下利用一個(gè)12cm*12cm的平面式透鏡( 放大倍率500左右 ),簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)。 即可看出聚焦后的電流/電壓 電壓 2.93V 電流 0.91A 功率 2.93V*0.91A=2.66 W 若是以垂直對(duì)焦一模塊即可達(dá)3瓦效能 原先使用軍工及電廠的太陽(yáng)能芯片,現(xiàn)以模塊化型式更方便您的應(yīng)用。 需要有關(guān)詳細(xì)的數(shù)據(jù),請(qǐng)mail 給我或電話皆可。謝謝您。 QQ: 893802819 MSN : solarfocus@126.com 手機(jī):134 2434 8012 |