全新第三代太陽能芯片- 不一樣的動力能源組件

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硅晶(單晶、多晶) 型的太陽能芯片是最常見的，只是效能上還無法再提升

太陽能砷化鎵芯片是效能上比硅晶還高的產品。
有別于市場上，硅晶太陽能的效率

砷化鎵太陽能32% > 硅晶(單晶,多晶,非晶)太陽能18%
>
薄膜太陽能8%

現(xiàn)開發(fā)出模塊型式之產品。供大家在電源開發(fā)上有一個新的參考組件…

如圖所示是砷化鎵太陽能芯片,已做成了模塊方式，方便使用。

采用的散熱是最佳的陶瓷基版，覆銅以最新燒結銅技術，芯片底層銀膠貼合。

電極以純金線拉出，并覆以特殊膠質，除了防灰塵，高溫下也不變質變色變型。

且看這一小小的模塊如下圖
芯片尺寸5.6mm*6.5mm


其優(yōu)點就是用這一小小片的面積可以產生同等于硅晶4倍面積的能力。

砷化鎵太陽能芯片的優(yōu)異在于耐熱和可聚焦發(fā)電( 正是硅晶的致命傷 )

利用一個12cm*12cm的平面式透鏡( 放大倍率500左右 )

聚焦后的電流/電壓



電壓 2.93V

電流 0.91A

功率 2.93V*0.91A=2.66 W

若以垂直對焦，一個模塊還可達3瓦效能




原先使用軍工及電廠和太空站的太陽能芯片，現(xiàn)以模塊化型式更方便您的應用。

產品訊息

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