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全球領(lǐng)先的大學(xué)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Semiconductor Research Corporation (SRC)和耶魯大學(xué)的研究人員宣布，他們開發(fā)出了一種采用鐵電層的DRAM單元，可顯著提高DRAM技術(shù)的市場競爭力。 早期結(jié)構(gòu)表明，研究人員發(fā)現(xiàn)了在DRAM單元中施用鐵電材料的方法，因此可省去常規(guī)DRAM中的存儲(chǔ)電容。鐵電DRAM（FeDRAM）是一個(gè)無電容單元，其單元結(jié)構(gòu)非常類似于CMOS晶體管，只是其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料。 與常規(guī)的DRAM單元相比，F(xiàn)eDRAM的結(jié)構(gòu)更簡單，可延展性更強(qiáng)，尺寸更小，保持時(shí)間更長，耗電更低，每個(gè)單元可能存儲(chǔ)多個(gè)比特。此前，DRAM不能在一個(gè)單元中存儲(chǔ)多比特。這是flash存儲(chǔ)器所獨(dú)有的。 參與研究的馬教授稱，F(xiàn)eDRAM結(jié)構(gòu)有很多優(yōu)勢(shì)。FeDRAM 可令器件通過門電壓脈沖編程和擦除。由于充電保留比常規(guī)的DRAM長至少1000倍，所以不用經(jīng)常刷新。其電路結(jié)構(gòu)很像flash存儲(chǔ)器，這方便于生產(chǎn)制造。由于能夠采用現(xiàn)存的生產(chǎn)設(shè)施，所以遷移到FeDRAM和容易。 |
