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日本京都大學大學院工學研究科的一個研究小組發布消息稱，他們開發出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時間的新工藝。三維電子晶體是一種能自由操縱光的新型材料，可用來高速處理光信號以及制造超小型光集成電路片，在下一代量子計算機的開發、新型人造衛星和飛機制造等方面有著廣闊的應用前景。 據介紹，三維電子晶體的構造是將微小的硅反射板立體的、整齊的排列在一起，具有可自由反射光并實時調節發光強弱的特性。不過這種新型材料以往制造起來十分麻煩，必須要使用特制的半導體制造儀器，并通過顯微鏡進行人工精密制造。而以往要制造一個8層結晶、1厘米見方、2微米厚的晶體大約需要1個月左右的時間。 日本的研究小組使用了在原料硅板上放置金屬板，再用等離子依據金屬板上排列整齊的傾斜狀孔洞進行挖掘的方法，大大節省了三維電子晶體的制造時間。利用這種新方法，制造一塊8層1厘米見方的晶體只需要4天至5天時間。研究人員稱，這種新工藝也將會大大促進超小型光集成電路片等技術的進步。 |
