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新的解決方案實現了 100ppm 及以下的頻率精度 IDT公司推出據稱是業界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器，在整個溫度、電壓和其他因數方面實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。 IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術，可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器，并采用非常薄的外形，而無需使用任何機械頻率源或鎖相環（PLL）。該產品專門用于下一代存儲、數據通信和連接接口，如千兆以太網、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。該產品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案，因此非常適合服務器和企業設計，以及采用以太網端口的數據通信設備。 
IDT3C02 振蕩器可產生高精度的片上頻率，而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標準的現成可用的 CMOS 工藝，采用了可編程架構，支持各種配置選項，以適應廣泛的應用范圍。也許這些選項中最為關鍵的是工廠可編程的工作頻率，與傳統的石英解決方案相比，有助于縮短交貨時間，包括特殊或罕見的頻率。 此外，IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設計，其功耗低于 2.5mA（空載典型值），從而為基于石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案，同時在 1MHz 載波偏移條件下實現了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業界標準的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝，即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝，無需陶瓷密封的封裝。 IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機模式，以及 100μs（典型值）的快速啟動時間。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設計，允許頻繁的開關電源以進一步節省功耗。由于該器件不包含任何運動元件，且不使用機械或壓電電子諧振來產生電子頻率，全硅的單片方案實現了優良的耐沖擊和振動能力。 供貨情況 IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品，采用的是 5×3.2mm 封裝。欲了解更多信息，請訪問 www.idt.com/go/CMOS-Oscillators。 |
