常見的片內濾波器的設計帶寬都上兆赫茲,而幾十千赫茲帶寬的濾波器大多采用片外無源器件來實現。原因是低頻濾波器的時間常數巨大,在芯片內占據大量的芯片面積。 在片內實現巨大時間常數的通常辦法是采取大電阻小電容結合方式。因為大電阻可利用開關電容技術來實現。以前采用開關電容技術實現的濾波器有兩個明顯缺陷:其一是開關電容在信號通路中會引入大量噪聲,從而直接導致濾波器的線性度不高;其二是開關電容的時鐘頻率必須和后續的ADC頻率嚴格一致,否則會導致丟碼。 本文仍采用開關電容技術,但不放在信號通路中,而是將其放到控制電路中。其主通路中的電阻采用R-MOS結構,阻值可由控制電路精確調節。這樣既利用了開關電容可精確實現大電阻的功能,也消除了前面提到的2個缺陷,故可實現連續時間濾波器較高的線性度。 1 濾波器結構 該濾波器的整體結構如圖1所示。圖中,,整體結構共3級,每一級為High-Q Opamp-R-C的二階帶通濾波器,通過級聯形成一個6階的Chebvshev I型濾波器。濾波器的整體傳遞函數如下: 為了降低電路的復雜度。圖l中的所有電阻均采用同一阻值,這樣,整個濾波器只需要一個控 由于該電阻的值隨PVT的變化很大,因此,為了使濾波器的頻響特性不受PVT變化的影響,則要求電阻值不隨PVT變化。為此,需要討論如何保證電阻值不隨PVT改變而改變。 2 精確電阻處理 電阻由控制電路部分實現,其控制電路結構如圖2所示。其中開關S1和S2可由兩相不交疊時鐘φ1和φ2分別控制,以對電容進行周期性充放電,從而使等效電阻 ;MOS管M工作在線性區,其電阻如下: RM和R可得到Ri的值。當Ri>Req,積分器呈正積分特性,運放的輸出電壓增大,VGS變大,RM變小,Ri變小;同理,當Ri 其中,T是時鐘周期,Ci為積分電容,C為等效電阻電容。為了提高電容匹配度,C和Ci應采用同一單位電容組合,這樣,式(3)可變為: 圖4所示為濾波器的線性度測試結果,它的輸入為間隔10 kHz的兩個帶內單頻點信號,信號幅度為500 mVpp,輸出用示波器檢測。線性度測試結果為43 dB,可見,這種設計方案具有很高的線性度。 4 結束語 由于本文所設計的濾波器的時間常數只跟頻率和電容比值有關。因此只要改變時鐘頻率,就可以改變濾波器的中心頻率。另外,利用本文的方法,還可以將濾波器做在芯片里面,這樣,采用開關電容技術,其芯片的面積只需增加很小一部分。目前,本芯片已在SMIC0.18μm工藝下已開始流片量產。 |