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利用DAC實(shí)現(xiàn)高精度、雙極性電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換

發(fā)布時(shí)間:2010-10-29 10:41    發(fā)布者:techshare
電路描述

AD5763是一款高性能數(shù)模轉(zhuǎn)換器,可保證單調(diào)性,積分非線性(INL)誤差為±1 LSB(C級(jí)器件),噪聲低,建立時(shí)間為10 μs。在以下電源電壓范圍內(nèi),保證具有額定性能:AVDD電源電壓范圍為+4.75 V至+5.25 V,AVSS電源電壓范圍為-4.75 V至-5.25 V。基準(zhǔn)電壓輸入為2.048 V時(shí),標(biāo)稱(chēng)滿量程輸出范圍為±4.096 V。

為使該DAC在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)達(dá)到最佳性能,必須使用精密基準(zhǔn)電壓源。AD5763內(nèi)置基準(zhǔn)電壓源緩沖器,因而無(wú)需外部正負(fù)基準(zhǔn)電壓源及相關(guān)的緩沖器,這樣便進(jìn)一步節(jié)省了成本和電路板空間。因?yàn)榛鶞?zhǔn)輸入(REFA、REFB)上施加的電壓用來(lái)產(chǎn)生DAC內(nèi)核所用的內(nèi)部緩沖正負(fù)基準(zhǔn)電壓,所以外部基準(zhǔn)電壓的任何誤差均會(huì)通過(guò)該器件的輸出反映出來(lái)。

針對(duì)高精度應(yīng)用選擇基準(zhǔn)電壓源時(shí),需要考慮四種可能的誤差源:初始精度、輸出電壓的溫度系數(shù)、長(zhǎng)期漂移和輸出電壓噪聲。表1列出了ADI公司的其它2.048 V精密基準(zhǔn)電壓源候選產(chǎn)品及其特性。

表1:2.048 V精密基準(zhǔn)電壓源




電路功能與優(yōu)勢(shì)

本電路采用雙通道、16位、串行輸入、雙極性電壓輸出DACAD5763,可提供高精度、雙極性數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。它利用精密基準(zhǔn)電壓源ADR420 在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最佳DAC性能。該16位精密DAC所需的外部器件只有基準(zhǔn)電壓源、電源引腳和基準(zhǔn)輸入上的去耦電容以及可選的短路電流設(shè)置電阻,因此,這種實(shí)施方案可以節(jié)省成本和電路板空間。本電路非常適合閉環(huán)伺服控制和開(kāi)環(huán)控制應(yīng)用。





圖1:采用精密基準(zhǔn)電壓源的AD5763 DAC高精度、雙極性配置

在任何注重精度的電路中,精心考慮電源和接地回路布局有助于確保達(dá)到額定性能。AD5763所用的PCB必須采用模擬與數(shù)字部分分離設(shè)計(jì),并限制在電路板的一定區(qū)域內(nèi)。如果AD5763所在系統(tǒng)中有多個(gè)器件要求AGND至DGND連接,則只能在一個(gè)點(diǎn)上進(jìn)行連接。星形接地點(diǎn)盡可能靠近器件。AD5763必須采用足夠大的10 μF電源旁路電容,與每個(gè)電源上的0.1 μF電容并聯(lián),并且盡可能靠近封裝,最好是正對(duì)著該器件。10 μF電容為鉭珠型電容。0.1 μF電容必須具有低有效串聯(lián)電阻(ESR)和低有效串聯(lián)電感(ESL),如高頻時(shí)提供低阻抗接地路徑的普通陶瓷型電容,以便處理內(nèi)部邏輯開(kāi)關(guān)所引起的瞬態(tài)電流。

AD5763的電源走線必須盡可能寬,以提供低阻抗路徑,并減小電源線路上的突波效應(yīng)。時(shí)鐘等快速開(kāi)關(guān)信號(hào)必須利用數(shù)字地屏蔽起來(lái),以免向電路板上的其它器件輻射噪聲,并且絕不應(yīng)靠近基準(zhǔn)輸入。SDIN線路與SCLK線路之間布設(shè)接地線路有助于降低二者之間的串?dāng)_(多層電路板上不需要,因?yàn)樗歇?dú)立的接地層;不過(guò),接地線路有助于分開(kāi)不同線路)。基準(zhǔn)輸入上的噪聲必須降至最低,因?yàn)檫@種噪聲會(huì)被耦合至DAC輸出。應(yīng)避免數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)交疊。電路板相反兩側(cè)上的走線必須彼此垂直,這樣有助于減小電路板上的饋通效應(yīng)。推薦使用微帶線技術(shù),但這種技術(shù)對(duì)于雙面電路板未必始終可行。采用這種技術(shù)時(shí),電路板的元件側(cè)專(zhuān)用于接地層,信號(hào)走線則布設(shè)在焊接側(cè)。電路板至少需要4層才能實(shí)現(xiàn)最佳布局和性能:一個(gè)接地層、一個(gè)電源層和兩個(gè)信號(hào)層。
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