LDO噪音問題的理解

絕對(duì)好文

ni_labview

最近做24位AD，模擬供電部分用TI的LDO－－TPS76333，發(fā)現(xiàn)設(shè)備拿到現(xiàn)場(chǎng)去之后AD采集的噪音很大，和在家里測(cè)試的結(jié)果有天壤之別，所以在現(xiàn)場(chǎng)玩命地在檢測(cè)回路上想各種方法抑制干擾，后來用泰克TDS1012示波器看了一下發(fā)現(xiàn)干擾更多是從電源進(jìn)來的，檢測(cè)通道上并不大，解決了好幾天，最后發(fā)現(xiàn)LDO輸出端的電容換了之后就好多了，至此問題還是距離原來家里實(shí)驗(yàn)的20位最好精度還有距離1.5位的水平，且怎么也提不上來，索性用手里一只 LP2950類的LDO把TPS76333給換了下來，精度居然回到了20位。

幾天下來，似乎想明白了一些問題：

1、LDO類芯片輸出端的膽電容的等效內(nèi)阻影響很大。

2、高精度檢測(cè)時(shí)對(duì)于噪音的理解是否可以這樣認(rèn)為，雙極技術(shù)的LDO本身在噪音 方面要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于MOS類的LDO，很“安靜”。

3、從另一角度應(yīng)該理解為MOS對(duì)于電平噪音抑制能力看來不敵雙極技術(shù)，MOS是電平動(dòng)作；而雙極技術(shù)則是電流動(dòng)作，其構(gòu)建環(huán)境相對(duì)苛刻，恰恰是個(gè)好處。

這些沒準(zhǔn)是我這個(gè)小學(xué)生天真的想法，還待論證。

linfulin

"MOS對(duì)于電平噪音抑制能力看來不敵雙極技術(shù)，MOS是電平動(dòng)作；而雙極技術(shù)則是電流動(dòng)作"
我的想法有點(diǎn)類似。電壓差是形成電流的基礎(chǔ)，而電流是導(dǎo)體導(dǎo)電的具體表現(xiàn)。有電壓差不一定能做功，電流大小評(píng)價(jià)做功能力。

快活神仙

模擬量的供電，用高精度的LDO比較合適，你用的這些精度貌似都一般。另外電源部分的抗干擾也要采取些措施，首先保證電源供電的穩(wěn)定性，才能接著談信號(hào)的穩(wěn)定性

sisc1525

這個(gè)芯片有這么差嗎？是不是外圍電容不夠理想引起的吧。

cxyjoe

還沒注意到LDO的差別

spy007868

復(fù)制下來�。。。。。。。。∥易约汉煤脤W(xué)習(xí)�。。。。。。。。。。。�！

qaz362531

GStek  LDO 產(chǎn)品列表，提供各種高精度LDO。