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JEDEC組織周四發(fā)布了JESD209-2 LPDDR2低能耗內(nèi)存設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)。這項標(biāo)準(zhǔn)將允許非易失型存儲裝置（NVM）與易失型存儲裝置(SDRAM)使用同樣的接口標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)準(zhǔn)并對存儲設(shè)備的存儲 密度和運(yùn)行頻率進(jìn)行了設(shè)定。這項標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)立不但能使閃存與內(nèi)存共享同樣的接口標(biāo)準(zhǔn)，而且還能進(jìn)一步提高存儲設(shè)備的密度，性能，并減小設(shè)備的體積和能耗。 為了提高設(shè)備的節(jié)電性能，JEDEC LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)提供了幾種省電標(biāo)準(zhǔn)特性。LPDDR2設(shè)備的輸入/輸出電壓由LPDDR的1.8V降為1.2V,這樣一來，在保證同樣的性能水平條件下，設(shè)備的耗電量比過去能降低50%以上。而設(shè)備的核心電壓部分，LPDDR2的標(biāo)準(zhǔn)也同樣降低到1.2V(LPDDR則為1.8V),進(jìn)一步減小了設(shè)備的能耗。 除此之外，LPDDR2還支持Partial Array Self Refresh以及Per-Bank Refresh等高級電源管理特性。Partial Array Self Refresh允許內(nèi)存陣列的某一部分在沒有工作負(fù)荷時關(guān)閉，可以由程序來根據(jù)實際的需求來實時控制內(nèi)存容量的大小。 LPDDR2也是第一個橫跨兩種存儲設(shè)備類型的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)允許NVM與SDRAM使用同樣的總線接口，這樣便可減小控制器的針腳數(shù)并提高內(nèi)存芯片的密度。 LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)還支持多種不同的設(shè)備配置，這使該標(biāo)準(zhǔn)的普適性大大增強(qiáng)，它支持的設(shè)備配置包括： * 設(shè)備工作頻率可由100MHz--533MHz * 支持x8, x16以及x32多種數(shù)據(jù)位寬 * 支持1.8V/1.2V兩種核心電壓，并具備兩種預(yù)取可選項（2bit或4bit） * 支持的存儲密度范圍大（NVM設(shè)備支持：64Mb-32Gb，DRAM支持：64Mb-8Gb） “LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)具備低能耗，高性能，可伸縮性好，NVM與SDRAM可共享接口的優(yōu)勢。為移動設(shè)備產(chǎn)業(yè)提供了一種新型的低能耗內(nèi)存設(shè)備，為手持設(shè)備運(yùn)行對性能要求較高的游戲或高清視頻提供了一種解決方案。”JEDEC組織的官員Roger Isaac說。 |
