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rfdt1000：現在的流行無線數據收發(fā)IC幾乎普遍采用晶振+PLL+超外差電路。采用晶振+PLL的一個重要原因是想獲得高穩(wěn)定射頻。但是晶振+PLL電路能不能滿足要求呢？恐怕很難。 首先我們看看晶振+PLL電路溫度特性：晶振+PLL電路合成的射頻頻率和晶振的頻率是成正比的，晶振+PLL電路的頻率穩(wěn)定性決定于晶振。晶振有LC、Y和AC等三種切型，其中LC、Y型的溫度系數是100ppm,AC型約為20ppm-30ppm, 下面我們計算一下溫度漂移會造成頻率飄移： 晶振 頻段 溫度變化 頻率變化 100ppm 315M 40 1.26M 100ppm 433M 40 1.733M 100ppm 868M 40 3.4720M 100ppm 915M 40 3.66M 20ppm 315M 40 252K 20ppm 433M 40 346.4K 20ppm 868M 40 694.4K 20ppm 915M 40 732K 再來看看頻率變化對接收有什么影響：我們看看一組芯片資料 ----IC1 中頻帶寬 130 KHZ 頻道間隔 153.6KHZ 鄰道選擇 32db ----IC2 中頻帶寬 175KHZ 鄰道選擇 不詳 由以上數據我們看出,當收發(fā)兩端溫度差達到40度時,將引起多大的增益變化.那么像諸如"此時能用,彼時不能用;此地能用,彼地不能用"的"環(huán)境問題"就不難理解了. chunyang：現實中，基于PLL技術的現代RF芯片已非常少見無補償的簡單PLL設計，一個典型的PLL包括一個低漂移的參考振蕩源（完全片內資源，無需外部介入）和VCO，芯片上電時內電路是有先后次序的，本振優(yōu)先，待本振穩(wěn)定后有的設計是自動根據參考源校正有的則需要人工干預操作，校正辦法是通過測量本振頻率與參考源做比較，然后通過負反饋調節(jié)VCO實現高精度的頻率合成，一個調節(jié)后的典型本振誤差指標小于等于1KHz（極其一般的指標），全工作溫度范圍。 實際使用中，為獲得良好的耐溫變參數還有很多針對具體芯片型號的技巧，可以在完全不增加任何附加成本的前提下，僅僅利用芯片自身的設計特性實現耐受全工作溫度范圍內的波動。比如：隨機抽取樣品，一個置入極限低溫，一個置于極限高溫，通訊無誤；或者，開始二者同溫，然后一個升溫至極限高溫，一個降溫至極限低溫，整個溫變過程 以上指標可以在任何目前主流PLL型無線芯片（可以微步長調節(jié)頻率的，這說明了芯片的結構）上實現，當然具體個案的工藝會有不同，技巧而已，有心者通過前述提示應能悟出實施方法。這還是簡單廉價型PLL無線芯片所采取的技術手段，高端通訊產品會有更復雜、有效、快速的應對技術，總體而言，正是因為避免了大量使用高精度、低溫飄的本振系統(tǒng)，無線產品才變得越來越小，越來越便宜，若非如此，手機等大宗微型無線產品根本就不會出現。 想當年（1990S初），我設計了國內第一代無線抄表系統(tǒng)，用全模擬技術實現的窄帶數傳無線信道，晶體本振直接倍頻，其它都好，就是溫變受不了，這極大的制約了該產品的推廣，但技術在進步，當年的難題現在的小菜。 再補充一點，以上只是針對溫度/頻率偏差校正的直接方法，還有間接的所謂提高“耐受力”的方法，比如AFC等，多一種手段多一份機會，盡量一起用，別硬扛。 |
