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作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國(guó)際（SMIC）的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）芯片，并稱(chēng)更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來(lái)。 目前，在ROM存儲(chǔ)領(lǐng)域，NAND閃存無(wú)疑是的主流，保守點(diǎn)說(shuō)，3、5年內(nèi)它都會(huì)是電子設(shè)備存儲(chǔ)芯片的主流選擇，但研究人員早就開(kāi)始探索新一代非易失性存儲(chǔ)芯片了，Intel與美光聯(lián)合研發(fā)的3D XPoint，是基于PCM相變存儲(chǔ)技術(shù)，也被稱(chēng)為是新一代存儲(chǔ)芯片，而ReRAM更是頗具代表性的新型非易失性存儲(chǔ)器。 ReRAM為何物 雖然ReRAM的名字中帶RAM，但其實(shí)是像NAND閃存那樣用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的ROM，只不過(guò)它的性能更強(qiáng)，據(jù)說(shuō)，其密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫(xiě)入速度快1000倍。ReRAM單芯片（200mm2左右）即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。 ReRAM基于憶阻器原理，將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話(huà)說(shuō)，關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。 ReRAM的優(yōu)勢(shì) 與NAND閃存相比，ReRAM具備諸多優(yōu)點(diǎn)，具體如下： 速度：ReRAM寫(xiě)速度更快，以納秒為單位而不是毫秒，這使它更適應(yīng)于高性能應(yīng)用。 功率：研究人員已經(jīng)證明，微安培寫(xiě)入功率并期望很快將進(jìn)一步降低到納安范圍，這使得ReRAM比NAND閃存能效更高。 耐用性：最常見(jiàn)的MLC閃存只能處理10000次寫(xiě)操作，而ReRAM卻可以處理數(shù)百萬(wàn)個(gè)。 ReRAM應(yīng)如何定位 在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，NAND閃存將保留在成本和密度上的優(yōu)勢(shì)，這意味著它仍將在未來(lái)幾十年存活下去。那么ReRAM在存儲(chǔ)應(yīng)用中要如何定位呢？ 數(shù)據(jù)完整性：關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用更喜歡ReRAM，而且關(guān)鍵是買(mǎi)得起； 性能：固態(tài)硬盤(pán)這種高速存儲(chǔ)介質(zhì)消除了復(fù)雜性并提高了性能； 移動(dòng)性：網(wǎng)絡(luò)寬帶和內(nèi)存容量之間進(jìn)行著一場(chǎng)永無(wú)止境的拉鋸戰(zhàn)，在這種情況下，消費(fèi)者可能會(huì)喜歡上他們移動(dòng)設(shè)備的大容量存儲(chǔ)。如果是這樣， ReRAM節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)將在高端產(chǎn)品有所體現(xiàn)。 群雄逐鹿ReRAM 目前，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括東芝、Elpida、索尼、松下、美光、海力士、富士通、Crossbar等。 東芝憑借其類(lèi)似于今天1.5萬(wàn)轉(zhuǎn)硬盤(pán)的固態(tài)硬盤(pán)，開(kāi)始涉足這些高端市場(chǎng)。這可能不是一個(gè)巨大的市場(chǎng)，但是其高利潤(rùn)率還是值得一試的。 其他廠商，包括松下、美光和三星，也正在致力于ReRAM的研發(fā)。 其實(shí)，美光早在2007年就提出了這種技術(shù)，此后幾乎每年都會(huì)透露一些進(jìn)展，但就是距離量產(chǎn)遙遙無(wú)期。 美光是和索尼聯(lián)合研發(fā)ReRAM的，其基本原理和Crossbar RRAM有些類(lèi)似，同樣是非易失性存儲(chǔ)，但是更強(qiáng)調(diào)電阻可變，同時(shí)為了區(qū)分，縮寫(xiě)也有所不同。 美光曾經(jīng)表示，理想的指標(biāo)是讀寫(xiě)帶寬1000MB/s、200MB/s，讀寫(xiě)延遲2微秒、10微秒，而目前的原型可以發(fā)揮大約九成的功力。 中芯國(guó)際聯(lián)手Crossbar 此次，中芯國(guó)際推出的ReRAM樣片，其直接客戶(hù)就是Crossbar，該公司資料顯示，Crossbar技術(shù)首先由中國(guó)出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國(guó)清華大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位，以及德克薩斯州萊斯大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。盧博士在ReRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn)，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專(zhuān)家，包括基于雙端電阻開(kāi)關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn)。 2016年，Crossbar獲得了8000萬(wàn)美元的風(fēng)投，其中中國(guó)公司也參與了，而Crossbar去年3月份也宣布進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，他們的合作伙伴就是中芯國(guó)際，將基于后者的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。根據(jù)該公司副總裁Sylvain Dubois所說(shuō)，2016年內(nèi)中芯國(guó)際已經(jīng)開(kāi)始給客戶(hù)出樣40nm工藝的ReRAM芯片，實(shí)現(xiàn)了該公司之前2016年內(nèi)推出ReRAM的承諾。 此外，更先進(jìn)的28nm工藝版ReRAM芯片也將在2017年上半年問(wèn)世，不過(guò)Sylvain Dubois未透露是否還是由SMIC生產(chǎn)，或是交給其他代工廠。 當(dāng)ReRAM遇上人工智能 包括臉書(shū)、亞馬遜、微軟、谷歌、阿里巴巴、騰訊、百度等，都在產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù)，包括人臉、位置、行為習(xí)慣、社交照片等。物聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)到來(lái)，而且正在指數(shù)級(jí)的增長(zhǎng)；自動(dòng)駕駛汽車(chē)已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)，云計(jì)算已經(jīng)無(wú)處不在。我們剛開(kāi)始想象如何借助于這些創(chuàng)新來(lái)開(kāi)創(chuàng)一個(gè)人工智能的新時(shí)代，創(chuàng)建新的商業(yè)模式、新的生產(chǎn)率典范和新的大眾娛樂(lè)方式，這些不僅對(duì)人類(lèi)帶來(lái)意義深遠(yuǎn)的影響，而且也為通過(guò)數(shù)據(jù)盈利的創(chuàng)新者帶來(lái)巨大的財(cái)富。 收集與存儲(chǔ)這些“大”數(shù)據(jù)是當(dāng)務(wù)之急。但是，比數(shù)據(jù)有多“大”更為重要的是，如何驅(qū)動(dòng)下一波的創(chuàng)新。在人工智能競(jìng)賽中的勝出者需要做四件事：1、訪問(wèn)大量的數(shù)據(jù)；2、訪問(wèn)正確的數(shù)據(jù)；3、把數(shù)據(jù)變?yōu)榫哂锌尚袆?dòng)性的洞察力的強(qiáng)大算法；4、超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的速度和規(guī)模。今天，通過(guò)訓(xùn)練人工智能算法與創(chuàng)建新的應(yīng)用，數(shù)據(jù)有機(jī)會(huì)成為利潤(rùn)中心。更多的數(shù)據(jù)訓(xùn)練，就會(huì)讓人工智能算法更聰明。 應(yīng)用ReRAM這樣新的存儲(chǔ)技術(shù)，能夠發(fā)揮人工智能真實(shí)的潛能，實(shí)現(xiàn)速度、低功耗/高能效、存儲(chǔ)容量與可制造性的完美結(jié)合。 當(dāng)目標(biāo)從簡(jiǎn)單的代碼行的抓取，轉(zhuǎn)變成對(duì)從外部傳感器獲取的大量數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)處理、分析、執(zhí)行時(shí)，大數(shù)據(jù)到人工智能的根本轉(zhuǎn)變就來(lái)臨了。從傳感器來(lái)的數(shù)據(jù)可以存儲(chǔ)在芯片上，直接輸送給深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，以便采取直接的行動(dòng)。非易失性的存儲(chǔ)技術(shù)，比如ReRAM存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)低功耗、快速讀取、基于字節(jié)尋址的寫(xiě)操作，來(lái)幫助應(yīng)對(duì)性能與功耗的挑戰(zhàn)。 ReRAM存儲(chǔ)技術(shù)能夠直接集成在芯片內(nèi)部，產(chǎn)生一個(gè)新的以存儲(chǔ)為中心的片上系統(tǒng)架構(gòu)。通過(guò)與處理器核集成在同一顆芯片中的片上系統(tǒng)方案，ReRAM充分地加速了深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法。ReRAM技術(shù)是一個(gè)重要的創(chuàng)新，它加速人工智能的潛能，實(shí)現(xiàn)多種應(yīng)用，加速性能，極大地提高能效，實(shí)現(xiàn)更高級(jí)的安全性，減少芯片的數(shù)量和芯片的面積。 高性能計(jì)算，比如人工智能，需要在處理器、存儲(chǔ)與輸入輸出之間進(jìn)行高帶寬、低時(shí)延的數(shù)據(jù)訪問(wèn)。ReRAM存儲(chǔ)技術(shù)通過(guò)減少計(jì)算與存儲(chǔ)之間的性能差距，可顯著提升高性能計(jì)算應(yīng)用的性能。 |
