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【文/ 觀察者網(wǎng)專欄作者 鐵流】 日前，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源漏（MSD），顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動(dòng)性能達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。 基于本研究成果的論文被2016年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會(huì)場(chǎng)之一——硅基先導(dǎo)CMOS 工藝和制造技術(shù)（PMT）上，由微電子所的張青竹做了學(xué)術(shù)報(bào)告，并得到IBM和意法半導(dǎo)體技術(shù)專家的贊揚(yáng)和認(rèn)可。 在工藝上落后于國(guó)際大廠 一直以來(lái)，中國(guó)境內(nèi)晶圓代工廠在技術(shù)上落后于Intel、臺(tái)積電、格羅方德、三星等國(guó)際大廠，除了受限于瓦森納協(xié)定無(wú)法從西方采購(gòu)到最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備之外，在工藝上落后于西方也是很重要的原因。工藝有多重要呢？就以28nm poly/SiON、28nm HKMG以及28nm SOI來(lái)說(shuō)，雖然同為28nm制程，但由于具體工藝的區(qū)別，導(dǎo)致采用不同工藝的芯片在性能上會(huì)有差異。 考慮到如果將意法半導(dǎo)體的28nm SOI和中芯國(guó)際的28nm HKMG對(duì)比可能會(huì)有不同晶圓廠帶來(lái)的變量，那么以同采用臺(tái)積電28nm LP工藝、28nm HPC/HPC+工藝、28nm HPM工藝生產(chǎn)的芯片來(lái)比較，采用28nm LP工藝的芯片顯然在性能上遜色一籌，這也是當(dāng)年采用28nm LP工藝的高通驍龍615在性能和功耗控制上遜色于采用28nm HPM工藝的聯(lián)發(fā)科6752和采用28nm HPC工藝的麒麟930的原因之一。 
而在工藝上，國(guó)內(nèi)晶圓代工廠也是落后于Intel、臺(tái)積電、格羅方德、三星等國(guó)際大廠的。舉例來(lái)說(shuō)，某自主CPU公司采用了某境內(nèi)代工廠的40nm LL工藝，然后由于工藝性能有限，境內(nèi)代工廠的40nm LL工藝比意法半導(dǎo)體的65nm GP工藝還慢30%…… 再比如某合資CPU公司在承接了核高基專項(xiàng)后，由于核高基的要求必須采用境內(nèi)工藝，然而在采用境內(nèi)28nm制造工藝流片后，CPU的主頻連1GHz都不到，隨后就去臺(tái)積電流片了，雖然同樣是28nm制程，但臺(tái)積電就能把主頻做到1.2GHz以上，挑一挑體質(zhì)好的，主頻最高可以到2GHz…… 另外，除了在工藝上長(zhǎng)期落后于國(guó)際大廠，國(guó)內(nèi)晶圓廠的工藝大多是技術(shù)引進(jìn)的，而非自主研發(fā)，這一方面要付出不菲資金，另外還不得不簽一籮筐的各種限制性條款，這會(huì)帶來(lái)不少惡果。要開發(fā)出性能優(yōu)越的的EDA工具，就離不開和先進(jìn)工藝相結(jié)合，國(guó)內(nèi)自主工藝很少有深亞微米的工藝，大多是180nm和130nm。雖然中芯國(guó)際有40nm，而且宣稱有28nm，但可能沒有量產(chǎn)過(guò)，或者量產(chǎn)的都是小芯片。而引進(jìn)的工藝都簽過(guò)協(xié)議，這就對(duì)國(guó)內(nèi)EDA公司的技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展造成了障礙。 因此，自主研發(fā)的工藝就彌足珍貴了。在此之前，國(guó)內(nèi)也提出過(guò)S-FinFET、后柵納米線及體硅絕緣Fin-on-insulator FinFET等創(chuàng)新技術(shù)，但大多遜色于主流FinFET工藝。而本次微電子所實(shí)現(xiàn)的新工藝，則在性能上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 FinFET和胡正明 在介紹微電子所開發(fā)出的新工藝之前，先介紹下FinFET和FD-SOI工藝。 FinFET中Fin指的是鰭式，F(xiàn)ET指的是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，合起來(lái)就是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在FinFET問(wèn)世前，一直在使用MOSFET，但由于當(dāng)柵長(zhǎng)小于20nm的情況下，源極和漏極過(guò)于接近且氧化物也愈薄，這很有可能會(huì)導(dǎo)致漏電現(xiàn)象。就在部分業(yè)界認(rèn)為制造工藝會(huì)止步不前，摩爾定律即將失效的情況下，一位華人科學(xué)家與其同事共同發(fā)明的兩項(xiàng)技術(shù)使制造工藝得以向20nm以下延續(xù)。
胡正明 胡正明教授國(guó)籍為美國(guó)，1947年7月出生于中國(guó)北京，1973年獲美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位，1997年當(dāng)選為美國(guó)工程科學(xué)院院士。2007年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院外籍院士。在十多年前，在美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局的資助下，胡正明教授在加州大學(xué)研究如何將CMOS技術(shù)如何拓展到25nm領(lǐng)域。胡正明教授及其同事的研究結(jié)果是，要么采用FinFET，要么走基于SOI的超薄絕緣層上硅體技術(shù)。 在1999年和2000年，胡教授及其團(tuán)隊(duì)成員發(fā)表了有關(guān)FinFET和UTB-SOI（FD-SOI）的論文，由于當(dāng)時(shí)胡正明教授及其團(tuán)隊(duì)認(rèn)為鮮有廠商可以把SOI基體做到5nm，或者說(shuō)等人們具備這種技術(shù)能力時(shí)，F(xiàn)inFET技術(shù)可能已經(jīng)得到了充分的發(fā)展，所以包括Intel、臺(tái)積電等一大批廠商都選擇了FinFET。憑借在FinFET等技術(shù)創(chuàng)新上的貢獻(xiàn)，在2000年，胡正明教授獲得美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究項(xiàng)目局最杰出技術(shù)成就獎(jiǎng)。在2015年，胡正明教授還榮獲美國(guó)年度國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)。 根據(jù)胡正明教授的介紹，F(xiàn)inFET實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)突破，一是把晶體做薄并解決了漏電問(wèn)題，二是向上發(fā)展，晶片內(nèi)構(gòu)從水平變成垂直，也就是把2D的MOSFET變?yōu)?D的FinFET。而這種做法有怎樣的效果呢？臺(tái)積電就曾表示：16nm FinFET工藝能夠顯著改進(jìn)芯片性能、功耗，并降低漏電率，柵極密度是臺(tái)積電28nm HPM工藝的兩倍，同等功耗下速度可以加快超過(guò)40％，同頻率下功耗則可以降低超過(guò)60％。 值得一提的是，被三星挖走的前臺(tái)積電員工梁孟松的博士論文指導(dǎo)教授就是胡正明，想必這也是三星能夠在14nm FinFET上實(shí)現(xiàn)大躍進(jìn)的原因之一吧。 |
