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提供業界最低讀取電流的內存，適用于穿戴式裝置與助聽器 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體合作開發的首款ReRAM存儲器產品。 ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術，未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20，數據擦寫上限是后者的10倍。 此全新產品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫療設備，例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設備上有絕佳的表現。 截至目前為止，富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM（鐵電隨機存儲器），以滿足客戶對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線后，富士通可進一步擴充產品系列，以滿足客戶多樣化的需求。 MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內工作，還能通過SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率，并在讀取時僅需極低的工作電流（5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA）。此外，該產品擁有業界非易失性內存最低的讀取功耗。 此全新產品采用209mil 8-pin的SOP（small outline package），引腳與EEPROM等非易失性內存產品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。 富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設備、助聽器等醫療設備，以及量表與傳感器等物聯網設備。 富士通預期未來持續提供各種產品與解決方案，以協助客戶提升其應用的價值與便利性。 產品規格 組件料號：MB85AS4MT 內存密度（組態）：4 Mbit（512K字符x 8位） 界面：SPI（Serial peripheral interface） 工作電壓：1.65 – 3.6V 低功耗：讀入工作電流0.2mA（于5MHz） 寫入工作電流1.3mA（寫入周期間） 待機電流10µA 休眠電流2µA 保證寫入周期：120萬次 保證讀取周期：無限 寫入周期（256 位/頁）：16毫秒（100%數據倒置） 數據保留：10年（最高攝氏85度） 封裝：209mil 8-pin SOP |
