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來源：MoneyDJ 英特爾(Intel Corp.)的晶圓代工制程進度雖然落后臺積電，但專家分析，英特爾穩扎穩打，14納米、10納米制程今年(2016年)年底前的擴充進度都相當不錯。 市場分析師在觀察過英特爾各大半導體材料供應商的生產數據后指出，英特爾正在持續減少新墨西哥州Fab 11X廠、亞利桑那州Fab 32廠的產能，而以色列的Fab 28則預備要在明年初導入10納米制程。 報告并稱，位于奧勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的三座高產能廠房，14納米制程的產能還在持續增加中，至于Fab 11X廠的老舊制程則明顯降低。 英特爾才在9月發布采用14納米制程、“Kaby Lake”架構的第七代Core系列處理器，最近還預測7-9月當季營收有望成長15%，以此來看，英特爾在資料中心/物聯網(IoT)/存儲器的長期發展依舊相當不錯。 先前有外資指出，臺積電的晶圓代工能力，大約比英特爾領先一年。 之前，有美系外資發布研究報告指出，臺積電在技術、處理ARM制程的能力、晶圓產能、成本結構、生產彈性、資產負債表和整體價值方面，都比英特爾來得強勢。雖然英特爾微處理器的科技、制程都較佳，但晶圓代工能力卻落后微處理器制造技術至少兩年，因此大概比臺積電晚了一年左右。也就是說，英特爾短期內難以對臺積電產生實質威脅。 相較之下，臺積電的10納米、7納米制程技術雖落后英特爾，但臺積電比英特爾提前1-2年跨入7納米制程，可借此縮短兩家公司的差距。臺積電在獨家封裝技術“整合型扇出型封裝”(integrated fan-out，InFO)的協助下，有望在2017年、2018年霸占10納米和7納米晶圓代工市場。 WCCFtech 9月25日報道，臺積電研發單位已在內部會議中，揭露未來幾年的最新研發藍圖，根據幾名資深高層的說法，該公司今年底就會轉換至10納米，7納米則會在明年試產、估計明年4月就可接單，而16納米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導入。7納米制程可大幅提升省電效能(時脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達0.4V，適用溫度約為150度。 |
