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Si875x隔離型FET驅動器系列產品有效降低工業和汽車繼電器替代應用中的成本和復雜性 Silicon Labs（亦名“芯科科技”）日前推出了基于CMOS技術的突破性隔離型場效應晶體管（FET）驅動器家族產品，這使得開發人員能夠使用自己選擇的特定應用和高容量的FET去替代過時的機電繼電器（EMR）和基于光耦合器的固態繼電器（SSR）。新型Si875x系列產品是業內首款隔離型FET驅動器，設計旨在利用集成的CMOS隔離柵傳輸電源，這消除了通常所需的隔離的次級側開關電源，減少了系統成本和復雜性。當與分立FET搭配時，Si875x驅動器提供業內一流的EMR/SSR替代解決方案，適用于電機和閥門控制器、HVAC繼電器、電池監控、交流干線與通信交換機、HEV/EV汽車充電系統和其他工業和汽車應用等。 
欲獲得有關Silicon Labs的Si875x隔離型FET驅動器詳細信息，包括產品定價、供貨、開發工具和數據手冊，請瀏覽網站：www.silabs.com/Si875x。 開發人員傳統上在開關應用中使用EMR和基于光耦合器的SSR，并且這兩種技術都有局限性。EMR是昂貴、慢速、笨重和產生噪聲的，EMR的這些劣勢導致SSR的使用上有兩位數增長率，但是即使這樣也面臨諸多挑戰。基于光耦合器的SSR有固有的限制，例如由于LED老化而導致更短使用壽命、更高溫度時降低性能和可靠性、較差的噪聲抗干擾性。另外，它們也只能選擇受限的集成FET，進一步損害了性能、成本和功耗。 Silicon Labs基于CMOS的Si875x隔離型FET驅動器提供了更好的選擇，能夠為使用SSR或EMR的應用降低系統成本和功耗，增強系統性能。因為Si875x驅動器不使用LED或光學元件，它們提供整個使用壽命和溫度范圍的極佳穩定性。極小封裝的Si875x器件提供完全無聲的開關特性，這使得它們成為笨重EMR的理想替代解決方案，這些EMR通常受限于電子開關噪聲、老化問題，以及量產帶來的挑戰問題。 Si875x器件通過使用標稱10.3V、極低1mA輸入電流和1.1ms響應時間來驅動FET門。增加輸入電流到10mA可實現極快的94µs接通時間。獨特的電源優化選項能夠快速獲得最大導通電流，然后一旦可選的外部電容放電時，靜態保持電流最多可降低到最大導通電流的90%。靈活的2.25至5.5V的輸入側電壓支持平滑連接到低功率控制器。Si875x驅動器也具有可選的米勒鉗位能力，防止外部FET的意外開啟。 Si875x器件具有2.5kVrms隔離等級，能夠在整個工業和汽車級溫度范圍（高達+125℃）進行操作，設計符合嚴格的UL、CSA、VDE、CQC標準。多功能輸入提供數字CMOS引腳控制（Si8751器件）或二極管仿真（Si8752器件），能夠很好的適應目標應用，并且靈活的輸出支持AC和DC負載配置。 Silicon Labs電源產品副總裁Ross Sabolcik表示：“憑借獨一無二的將功能強大、可靠的基于CMOS的隔離技術和通過隔離柵傳輸電源整合的創新能力，Silicon Labs的Si875x驅動器為陳舊的EMR和基于光耦的SSR提供了不可或缺的替代解決方案。新型Si875x家族產品為開發人員選擇應用所需的具有成本效益的FET提供了極大靈活性，也為最先進的固態開關帶來最簡單的遷移方案。” Si875x隔離型FET驅動器系列產品優勢特點 • 業內首款基于CMOS的隔離型SSR解決方案，支持特定應用的FET。 • 一流的噪聲抑制能力，高可靠性和2.5kVrms隔離等級。 • 高壓條件下長使用壽命（1000V條件下可達100年）。 • 高效開關：10.3V門電壓，僅僅1mA輸入電流。 • 2.25至5.5V寬輸入電壓可實現節能。 • 獨特引腳特性可在功耗/開關時間之間優化權衡。 • 米勒鉗位防止外部FET意外開啟。 • 小型SOIC-8封裝，集成了隔離和用于低功耗應用的功率電容器。 • AEC-Q100認證的汽車級器件選項。 價格和供貨 Si875x隔離型FET驅動器樣片現已供貨，并且計劃在2016年11月量產。Si875x器件支持小型SOIC-8封裝、工業級（-40°C至+105℃）或汽車級（-40°C至+125℃）環境溫度工作范圍選項。在一萬片采購量時，工業級器件單價為0.96美元起，汽車級器件單價為1.20美元起。Si8751-KIT（數字輸入）和Si8752-KIT（LED仿真輸入）評估套件現已供貨，零售價均為39.99美元。采購Si875x產品樣片和開發套件，請瀏覽網站：www.silabs.com/Si875x。 |
