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來(lái)源：（臺(tái)）經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 晶圓龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)再次向前大步躍進(jìn)，看好快充電源管理IC市場(chǎng)潛力，協(xié)同合作夥伴戴樂(lè)格半導(dǎo)體（Dialog Semiconductor），將于明年第1季推出首顆氮化鎵（GaN）手機(jī)快充晶片，挑戰(zhàn)快充晶片龍頭德儀（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。 喧騰已久氮化鎵制程，臺(tái)積電終于宣布跨入氮化鎵先進(jìn)制程，為合作客戶德商戴樂(lè)格量身打造，采用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵（GaN-On-Silicon）制程技術(shù)，生產(chǎn)首顆氮化鎵手機(jī)快充晶片，預(yù)計(jì)在明年第1季產(chǎn)出，該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時(shí)間減半等優(yōu)勢(shì)，適用于手機(jī)及平板等行動(dòng)快充，將挑戰(zhàn)業(yè)界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。 據(jù)悉，臺(tái)積電在氮化鎵領(lǐng)域布局已久，技術(shù)也相當(dāng)成熟，不過(guò)，因客戶考量成本及下游應(yīng)用問(wèn)題，對(duì)氮化鎵制程需求不高，還是以傳統(tǒng)矽制程為主，因此，臺(tái)積電也僅能按兵不動(dòng)、等待時(shí)機(jī)。如今手機(jī)快充應(yīng)用逐漸浮上臺(tái)面，手機(jī)晶片聯(lián)發(fā)科及高通相繼力推快充規(guī)格，展訊及海思也推出快充規(guī)格因應(yīng)，而三星也推出支援Galaxy全系列智慧型手機(jī)的快充功能，蘋(píng)果也將加入快充行列，快充市場(chǎng)逐漸成熟，臺(tái)積電適時(shí)大展拳腳。 業(yè)界表示，采用氮化鎵制程生產(chǎn)晶片除可應(yīng)用于手機(jī)快充，還可大幅縮減筆電外接電源供應(yīng)器體積，未來(lái)應(yīng)用于伺服器、車用及智慧電網(wǎng)等市場(chǎng)商機(jī)龐大。因此，相關(guān)電源管理IC解決方案的國(guó)際晶片大廠德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關(guān)電源管理IC方案，推出晶片多以氮化鎵制程生產(chǎn)，此次，臺(tái)積電與戴格樂(lè)合作，除了挑戰(zhàn)霸主地位，更展現(xiàn)臺(tái)積電在氮化鎵制程成熟技術(shù)，向相關(guān)電源管理IC廠客戶招手。 |
