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來源：（臺）經濟日報 晶圓龍頭臺積電先進制程技術再次向前大步躍進，看好快充電源管理IC市場潛力，協同合作夥伴戴樂格半導體（Dialog Semiconductor），將于明年第1季推出首顆氮化鎵（GaN）手機快充晶片，挑戰快充晶片龍頭德儀（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。 喧騰已久氮化鎵制程，臺積電終于宣布跨入氮化鎵先進制程，為合作客戶德商戴樂格量身打造，采用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵（GaN-On-Silicon）制程技術，生產首顆氮化鎵手機快充晶片，預計在明年第1季產出，該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時間減半等優勢，適用于手機及平板等行動快充，將挑戰業界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。 據悉，臺積電在氮化鎵領域布局已久，技術也相當成熟，不過，因客戶考量成本及下游應用問題，對氮化鎵制程需求不高，還是以傳統矽制程為主，因此，臺積電也僅能按兵不動、等待時機。如今手機快充應用逐漸浮上臺面，手機晶片聯發科及高通相繼力推快充規格，展訊及海思也推出快充規格因應，而三星也推出支援Galaxy全系列智慧型手機的快充功能，蘋果也將加入快充行列，快充市場逐漸成熟，臺積電適時大展拳腳。 業界表示，采用氮化鎵制程生產晶片除可應用于手機快充，還可大幅縮減筆電外接電源供應器體積，未來應用于伺服器、車用及智慧電網等市場商機龐大。因此，相關電源管理IC解決方案的國際晶片大廠德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關電源管理IC方案，推出晶片多以氮化鎵制程生產，此次，臺積電與戴格樂合作，除了挑戰霸主地位，更展現臺積電在氮化鎵制程成熟技術，向相關電源管理IC廠客戶招手。 |
