意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。
電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工藝，這款新封裝將引腳間距擴至4.25mm，讓電源廠商能夠滿足現(xiàn)行安全標(biāo)準(zhǔn)，將現(xiàn)場電源故障率降至最低，而無需使用這些附加的防電弧工藝，從而簡化了制造過程，提高了生產(chǎn)效率。 在提供優(yōu)異的防電弧功能的同時，TO-220FP爬電還保留了深受市場歡迎的TO-220FP的出色電特性。此外，相似的外觀尺寸還可以簡化安裝問題，確保符合現(xiàn)有安裝流程。 TO-220FP寬爬電間距封裝是意法半導(dǎo)體與其客戶——韓國知名電源廠商SoluM的合作開發(fā)成果。SoluM 正在使用這款優(yōu)異封裝開發(fā)穩(wěn)健性和成本效益高于競品的電源解決方案。 意法半導(dǎo)體TO-220FP寬爬電功率晶體管目前進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，支持一家全球主導(dǎo)電視廠商開發(fā)新產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括四款完全達標(biāo)的600V低導(dǎo)通電阻RDS(ON) MDmesh™ M2 MOSFET晶體管，額定電流8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5產(chǎn)品預(yù)計將于2016年第三季度前參加相關(guān)認證測試。 詳情訪問:www.st.com/mosfet. |
