元器件電阻的阻值與功率介紹

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根據其阻值是否可變可分為微調電阻，可調電阻，電位器等�？烧{電阻(電位器)電路 符號如下：

電阻在標記它的值的方法是用色環標記法。它的識別方法如下：





電阻，用符號R表示

其最基本的作用就是阻礙電流的流動。衡量電阻器的兩個最基本的參數是阻值和功率。阻值用來表示電阻器對電流阻礙作用的大小，用歐姆表 示。除基本單位外，還有千歐和兆歐。功率用來表示電阻器所能承受的最大電流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多 種，超過這一最大值，電阻器就會燒壞。根據電阻器的制作材料不同，有水泥電阻(制作成本低，功率大，熱噪聲大，阻值不夠精確，工作不穩定)，碳膜電阻，金 屬膜電阻(體積小，工作穩定，噪聲小，精度高)以及金屬氧化膜電阻等等。

電容，用符號C表示

電容有存儲電荷的作用，由于它的這個特性，決定了它有通交流阻直流，通高頻阻低頻的作用。因此常用作隔直，濾波，耦合。電容器的兩個 最基本的指標是容量和擊穿電壓。容量顯示電容器的儲存能力，有法拉(F)和微法(十的負六次方法拉)、皮法(十的負十二次方法拉)等計量單位。由于電容簡 單來說就是兩個相互絕緣的導體，所以當電壓升高到一定程度時，會擊穿這層絕緣。這個極限電壓就是電容器的耐壓值。電容器按有無極性可分為有極性電容和無極 性電容兩種，在一般情況下，有極性電容的正負極不可接反。按制作材料分，電容器有鋁電解電容(成本低，容量大，耐熱性差，穩定性差)、鉭電解電容(成本 高，精度高，體積小，漏電小)、磁片電容、聚炳稀電容、紙質電容以及金屬膜電容等多種。按容量是否可變分為固定電容和可調電容。

電感器

通俗的說就是線圈。它的基本的性質是通直流，阻交流，與電容器的性質恰恰相反。衡量電感器的最基本指標是電感量。以亨利(H)為單位，還有毫亨，微亨等。電感器可分為磁芯電感(電感量大，常用在濾波電路)和空心電感(電感量小，常用于高頻電路)兩種。

晶體管

最常用的有三極管和二極管兩種。它對信號有放大作用。三極管以符號BG(舊)或(T)表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管 可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料;B代表NPN型鍺材料;C為PNP型硅材料;D為NPN型硅材 料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管;D代表低頻大功率管;G代表高頻小功率管;A代表高頻大功率管。最后面的數字是產品的序號，序號不同，各種 指標略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對于二極管來說，第三位的P代表檢波管;W代表穩壓管;Z代表整流管。上面 舉的例子，具體來說就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對于進口的三極管來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。常用的進口管有韓國的 90xx、80xx系列，歐洲的2Sx系列，在該系列中，第三位含義同國產管的第三位基本相同。

半導體晶體管的三種放大電路原理如下：

1、————共基極放大電路。它的特點是輸入阻抗低，輸出阻抗高，電流放大倍數小于1，不易與前級匹配。

2、————共發射極放大電路。它的特點是電流放大倍數較大，功率放大倍數更大，但在強信號是失真較大。

3、————共集電極放大電路。它的特點是輸入阻抗高，輸出阻抗低，常用于阻抗匹配電路，增益最小。

現在應用最多的莫過于集成電路，符號IC(Integered Circuit)。從小規模集成電路一直到大規模、超大規模乃至生物集成電路發展。它恐怕是電子元器件中種類最多的。其命名方法依廠家的不同而千差萬別， 兩塊功能和外形完全相同的集成電路由兩個廠家生產出來，其型號差異極大。集成電路的特點就是內部元器件密集，可以大大減小設備的體積和增加設備的可靠性和 易維護性。缺點就是散熱問題不好解決，出了故障不易檢查。要知道某一集成電路的功能等信息，就只能靠查資料或平時注意積累了。