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來源：北方微電子 近日，由北方微電子自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸14納米FinFET等離子硅刻蝕機(jī)正式進(jìn)入上海集成電路研發(fā)中心（“ICRD”），與客戶共同開展研發(fā)工作。 上海集成電路研發(fā)中心于2002年12月組建成立，2007年5月被國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)等六部委核準(zhǔn)為國(guó)家級(jí)集成電路研發(fā)中心。此次14納米高端微電子裝備的順利進(jìn)廠標(biāo)志著中國(guó)集成電路裝備技術(shù)取得了新的突破，也預(yù)示著中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)即將邁入全新的技術(shù)時(shí)代。 14納米集成電路制造技術(shù)是目前世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造技術(shù)，自14nm(包括14nm)之后，采用FinFET 3D結(jié)構(gòu)工藝已成為主流技術(shù)。14納米FinFET是一種新型多柵3D晶體管，和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件具有更顯著的功耗和性能優(yōu)勢(shì)，14nm FinFET 3D工藝引入了截然不同的工藝流程，這對(duì)其流程中的關(guān)鍵制造設(shè)備帶來了更高的挑戰(zhàn)。 作為中國(guó)自主開發(fā)集成電路高端制造裝備的先行者，北方微電子NMC 612D 14nm FinFET刻蝕機(jī)以全新的設(shè)計(jì)理念來實(shí)現(xiàn)14nm FinFET刻蝕工藝的要求。設(shè)備采用了新開發(fā)的同步脈沖等離子技術(shù)，通過對(duì)等離子體的實(shí)時(shí)控制和診斷來實(shí)現(xiàn)低損傷和高選擇比，采用多區(qū)ESC以獲得更高的CD均勻性，增加高溫上電極的設(shè)計(jì)來降低缺陷，增大Throughput，設(shè)備多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 |
