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本文主要講了一下關(guān)于COMS與TTL電路的區(qū)別，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。 一、CMOS與TTL電路的區(qū)別 1、CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成(單極性電路)，TTL為雙極晶體管構(gòu)成(雙極性電路) 2、COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作 3、CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差 4、CMOS功耗很小，TTL功耗較大(1～5mA/門(mén)) 5、CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng) 6、CMOS的噪聲容限比TTL噪聲容限大 7、通常以為T(mén)TL門(mén)的速度高于“CMOS門(mén)電路。影響 TTL門(mén)電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開(kāi)關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大，工作速度越低。管子的開(kāi)關(guān)時(shí)間越長(zhǎng)，門(mén)的工作速度越低。門(mén)的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對(duì)于輸入波形上有“傳輸延時(shí)”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱(chēng)為“速度-功耗積”，做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo)，其值越小，表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門(mén)電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門(mén)的傳輸延時(shí)約為幾十納秒。 8、TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。 二、CMOS使用注意事項(xiàng) 1)COMS電路時(shí)電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個(gè)恒定的電平。 2)輸入端接低內(nèi)組的信號(hào)源時(shí)，要在輸入端和信號(hào)源之間要串聯(lián)限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。 3)當(dāng)接長(zhǎng)信號(hào)傳輸線(xiàn)時(shí)，在COMS電路端接匹配電阻。 4)當(dāng)輸入端接大電容時(shí)，應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。 5)COMS的輸入電流超過(guò)1mA，就有可能燒壞COMS。 三、什么叫做圖騰柱，它與開(kāi)漏電路有什么區(qū)別? TTL集成電路中，輸出有接上拉三極管的輸出叫做圖騰柱輸出，沒(méi)有的叫做OC門(mén)。因?yàn)門(mén)TL就是一個(gè)三級(jí)關(guān)，圖騰柱也就是兩個(gè)三級(jí)管推挽相連。所以推挽就是圖騰。一般圖騰式輸出，高電平400UA，低電平8MA 四、什么是CMOS電路的鎖定效應(yīng) COMS電路由于輸入太大的電流，內(nèi)部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大 。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時(shí)，COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上，很容易燒毀芯片。 防御措施： 1)在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過(guò)不超過(guò)規(guī)定電壓。 2)芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。 3)在VDD和外電源之間加線(xiàn)流電阻，即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。 4)當(dāng)系統(tǒng)由幾個(gè)電源分別供電時(shí)，開(kāi)關(guān)要按下列順序：開(kāi)啟時(shí)，先開(kāi)啟COMS電路得電源，再開(kāi)啟輸入信號(hào)和負(fù)載的電源;關(guān)閉時(shí)，先關(guān)閉輸入信號(hào)和負(fù)載的電源，再關(guān)閉COMS電路的電源。 |
