Vishay推出用于同步降壓、通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

發(fā)布時間：2016-7-12 11:27 發(fā)布者：eechina

關鍵詞： MOSFET

Vishay推出業(yè)內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應用的高效同步降壓轉換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關速度更快，可替換性能較低的標準雙片器件，而標準器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設計使用最優(yōu)的MOSFET組合。相比于使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實現(xiàn)更小尺寸的PCB設計。

今天發(fā)布的器件可在+175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂系統(tǒng)、車載信息服務、導航和LED照明等汽車應用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓 8V的應用，通道2的低邊MOSFET的最大導通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應用，最大導通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進行了100%的柵極電阻和雪崩測試，符合RoHS，無鹵素。

器件規(guī)格表：

產品編號		SQJ202EP		SQJ200EP
通道		1	2	1	2
VDS (V)		12		20
RDS(ON) (W)	@ VGS = 10 V	0.0065	0.0033	0.0088	0.0037
最大值	@ VGS = 4.5 V	0.0093	0.0045	0.0124	0.005
Qg (nC)典型值	@ VGS = 10 V	14.5	35.9	12	29
ID(A)		20	60	20	60

SQJ200EP和SQJ202EP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-169868-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據(jù)著作權人的要求，第一時間更正或刪除。