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來源：全球半導體觀察 全球市場研究機構TrendForce旗下存儲品牌DRAMeXchange（全球半導體觀察）表示，自中國政府從2014年10月14 日中國工信部宣布國家集成電路產業投資基金（中國簡稱大基金）成立，宣示進軍DRAM領域作為中國半導體計劃的第一步，期間中國各地方政府競逐DRAM生產基地，也努力的尋找技術、人力、財力及資源，莫不希望自身讓中央評選并擠身中國半導體領域的重要省分。 經過激烈的競爭，武漢新芯于日前宣布進軍NAND 領域，計劃推出3D-NAND產品拉近與韓美廠商的距離；聯電也攜手與晉江市政府合作，打造中國的DRAM產業，并以利基型內存作為切入點，避開削價競爭劇烈的標準型內存市場；反倒是之前呼聲最高的紫光集團，仍在尋覓合作對象，先前傳出與深圳市政府合作近期也發生變化，讓聯電晉江的合作進度超過紫光集團，算是中國第一樁較具明確計劃的DRAM開發案。 中國政府挾帶著充沛的資金配合臺灣半導體領域的豐富經驗，兩岸高科技合作再下一城，正式展開中國DRAM產業發展的計劃。 聯電初期將以臺灣作為研發基地，南科將成聯電與晉江合作案的研發重鎮 聯電與晉江市政府的合作正積極展開中，具側面了解，此新事業部由聯電副總陳正坤領軍，相關的半導體機臺已經下訂與移入南科廠房安裝當中，光罩等都在洽談當中，并在聯電南科成立試產線，聯電初期將以臺灣作為研發基地，南科將成聯電與晉江合作案的研發重鎮，集邦科技認為聯電早年曾生產設計過DRAM產品，擁有相關技術與IP智財權，加上自身已有豐富的代工經驗，制程技術可延續至利基型內存的制造，加上聯芯廈門廠亦在附近，無論是技術的支持或是人員的調配對于聯電后續的規劃都有相輔相成之效。 |
