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作者：鐵流 微信公眾號：tieliu1988 日前，武漢投資1600億元人民幣建設世界級存儲器基地，聯想到去年紫光竭力收購國際存儲芯片公司和之前合肥投資460億元人民幣建設存儲芯片工廠，以及最近紫光意圖在深圳投資300億美元建廠，國家為發展存儲芯片產業可謂不惜血本。那么，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業能重演京東方在面板產業的逆襲么？ 一個月內敲定三大存儲工廠 早在2006年，武漢就投資100億元啟動武漢新芯項目，經過10年的磨礪和成長，武漢新芯已經和西安華芯等公司成為中國存儲器領域的龍頭企業。本次投資1600億元人民幣將主攻方向是NAND Flash（NAND Flash閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據，比如手機上16G/32G/64G的閃存和電腦上的固態硬盤用的就是NAND Flash），首批產品將于2017年上市銷售，預計到2020年形成月產能30萬片的生產規模，到2030年建成每月100萬片的產能。 
在武漢、合肥等5座城市爭奪存儲器基地并以武漢的勝出而謝幕之后，合肥依舊沒有放棄發展半導體產業的雄心，在技術上與日本前爾必達社長坂本幸雄合作，主攻方向是DRAM（DRAM是易失性存儲技術，斷電失去數據，電腦上4G/8G內存采用的就是DRAM），在資金上投入460億人民幣，該DRAM工廠預計量產時間為2018年下半年，屆時12英寸晶圓月產能高達10萬片。 3月24日，紫光制定了規模達300億美元的投資計劃，該存儲廠預計于2018年完工，2019年量產，首批產能為4萬片（規劃3萬片生產NAND Flash，1萬片生產DRAM），預計到2020年形成月產能30萬片的生產規模，到2030年建成每月100萬片的產能。紫光該項決策的執行者就是素有臺灣存儲教父之稱的前華亞科董事長高啟全。
3D NAND 一直以來，國內存儲芯片市場一直被外資占據，武漢新芯、西安華芯、中芯國際的存儲芯片不僅市場份額小，而且大多只能在中低端謀生存，而本次國家在存儲領域發力，很顯然是為了解決在存儲芯片方面受制于人的問題。 技術上或多或少依賴海外 武漢新芯在技術上和三星、鎂光等國際大廠有不小的距離。因此，采取了與美國飛索半導體合作共同研發的方式——在技術上，雖然在過去10年時間里培養了一批人才，積累了一定技術，但如果要想在技術上迅速縮小和三星、鎂光的差距，或多或少要仰仗飛索半導體。 合肥的存儲工廠在技術上比武漢新芯有著更強的對外依賴——合肥存儲工廠的合作方是兆基科技，雖然注冊地在香港，但實際掌舵人是前爾必達社長坂本幸雄，而且研發和設計由日本工程師負責，生產工藝由臺灣工程師負責，合肥政府做的僅僅是成立公司和負責工廠的運營……因此，合肥投資460億建設存儲工廠，也被人戲言為“在爾必達被收購后，末代社長坂本幸雄匯集中國大陸資本和日本、中國臺灣的工程師向韓國三星、海力士宣戰”。 雖然紫光并沒有宣布其技術來源，但聯系去年紫光對鎂光不成功的收購和與海力士的對話，以及試圖借助西數收購閃迪，紫光的技術很有可能也是要仰仗鎂光、閃迪、海力士等海外公司。 看到這里，也許有人會質疑，找海外公司合作，真能學到先進技術么？誠然，從公司的層面，境外公司是不會將先進技術授予中國的，改革開發以來的歷史已經證明了花錢是買不來技術的。但從另一個層面看，技術是和人走的，海外公司對技術研發死守，但技術專家卻是大活人，而且未必是鐵板一塊，只要合作，就會產生交流，就可以通過一些手段學到一些技術，甚至將海外公司的技術專家挖走，化為己用。 在這方面，韓國的招數和手法可謂爐火純青——在早些年，日本工程師每逢周末就被韓國人約去打高爾夫、高消費，期間咨詢問題，并伺機高薪挖人，通過日積月累的信息獲取和人才挖掘，最終拼湊出完整的技術；就在最近，韓國三星之所以能領先臺積電研發出14nm芯片生產工藝，很大程度上就是利用臺積電的內部矛盾，挖走了臺積電的技術骨干。 因此，如果一味的“老老實實”合作，就有可能重蹈汽車產業技術受制于國外公司的覆轍，但如果效法韓國人的成功經驗，則一切皆有可能。 另外，存儲芯片通用性強，即便采用國外技術，所生產的存儲芯片既可用于X86桌面平臺，也可用于ARM手機平臺，還可以用于龍芯、申威等自主平臺，不會像IC設計領域那樣在與海外公司合作/合資，或購買技術授權后被鎖死的情況。 潛在的風險 雖然存儲芯片具有通用性強的特點，降低了產品市場化風險，但從實踐上看，合肥的fabless模式還是有一定潛在的風險的。 在半導體行業中，有三種運作模式： 一是從事能獨立完成設計、制造、封裝測試的公司，被稱為IDM(Integrated Design and Manufacture)，比如Intel、鎂光、三星；
二是只從事IC設計，但沒有代工廠，這類公司被稱為Fabless，像AMD、ARM等都屬于Fabless；
三是只做代工，不做設計，這類公司被稱為Foundry，最典型的就是臺積電。 由于在存儲產業，設計和生產工藝的結合異常緊密，使得IDM廠商會占有很大優勢——在IDM廠商中，生產工藝的研發和設計是同步走的，哪一方面出現短板，那么兩者就會協調溝通，把短板補全，把產品做好；在研發出新制程后，即便良率低、成本高，IDM廠商也可以通過內部計劃經濟的模式做好協調，使自己的產品在制程上處于領先地位。但如果是fabless，畢竟代工廠不像IDM那樣是公司內部的，出現瓶頸時候，設計公司有可能會把問題推給代工廠，而代工廠出于商業秘密或技術保密，往往不會對設計公司毫無保留，這必然導致溝通的時間成本和資金成本會非常高。另外，由于新制程剛剛量產時大多良品率低、成本高、產能小，造成設計公司不會采用最新的制程，或者拿不到最新制程的產能，必然導致fabless廠商在產品性能上落后于IDM廠商。 正是因此，國家02專項總師、中國科學院微電子研究所所長葉甜春指出，“從模式上看，發展存儲產業一定要走IDM的模式”。而從實踐上看，像三星、鎂光等存儲芯片大廠都有自己的晶圓制造廠與封測廠，皆為IDM廠商，市場上賣的是最先進的，也是IDM廠商的產品，存儲芯片的主要市場份額也在IDM廠商手中。而只有次先進的產品，以及追求性價比的產品，或者是工業領域一些對性能要求不高，但對可靠性、溫度等參數要求很高的領域，才會有fabless廠商的立足之地。 總之，在存儲行業，合肥的DRAM工廠若想以fabless模式和海外巨頭對拼，先天上就處于劣勢。另外，在合肥的DRAM工廠中，雖然不清楚中國技術人員能多大程度參與技術研發，但如果設計部門位于日本，工藝研發部門位于中國臺灣，而且全部假手中國臺灣和日本工程師完成，若真是這種“兩頭在外”的情況，合肥“引進海外技術，提升本土技術水平”的設想能夠變為現實的難度將會非常高。 能建成存儲帝國么 無論是DRAM，還是NAND Flash都具有通用性強、資金需求量大、技術革新快、技術門檻相對不高（相對于CPU、GPU、DSP、FPGA而言）的特點，這些特點使DRAM和NAND Flash成為在現階段就可以依靠“燒錢”形成一定的產業規模，而在存儲行業立足，恰恰離不開龐大的規模——依靠產能壓低成本，從這個角度上看，與面板行業或多或少具有一定相似性。 在國家意志的推動下，中國存儲企業大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產能。而國家近年來對存儲產業不計成本的投入，其本質上是在加速技術擴散的過程，定向的讓技術向中國擴散，使先進技術、管理方法和技術人才進入中國大陸，同時讓中國的本土技術人才在相應的崗位得到鍛煉，形成強大的存儲產業和高素質的人才，最終實現與國外巨頭分庭抗禮的格局。 |
